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본 연구에서는 RF magnetron sputtering으로 상온에서 증착된 ZnO압전박막을 이용하여, 1.96 GHz 대역의 air gap type의 FBAR BPF를 개발하였다.
FBAR BPF는 Si wafer에 절연막으로 열 산화막층(SiO₂)을 형성한 후, 형성된 산화막 위에 바닥전극(Al), ZnO압전층 그리고 상부전극(Mo)를 차례로 RF magnetron sputter 장비를 사용하여 증착시키고, Si wafer를 dry etching하여 air hole을 구현함으로써 device를 제조하였다.
제조된 FBAR BPF의 ZnO압전층의 XRD분석 결과 (002)면 방향으로 우선배향되었으며, XRC의 o값은1.018이었다. 삽입손실 1dB 내외로 우수한 특성을 나타내었다.
FBAR BPF는 Si wafer에 절연막으로 열 산화막층(SiO₂)을 형성한 후, 형성된 산화막 위에 바닥전극(Al), ZnO압전층 그리고 상부전극(Mo)를 차례로 RF magnetron sputter 장비를 사용하여 증착시키고, Si wafer를 dry etching하여 air hole을 구현함으로써 device를 제조하였다.
제조된 FBAR BPF의 ZnO압전층의 XRD분석 결과 (002)면 방향으로 우선배향되었으며, XRC의 o값은1.018이었다. 삽입손실 1dB 내외로 우수한 특성을 나타내었다.
목차
RF MEMS 기법을 이용한 US PCS 대역 FBAR BPF 개발
요약
Abstract
1. 서론
2. 실험방법
3. 실험결과 및 고찰
4. 결론
참고문헌
참고문헌 (0)
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