메뉴 건너뛰기
.. 내서재 .. 알림
소속 기관/학교 인증
인증하면 논문, 학술자료 등을  무료로 열람할 수 있어요.
한국대학교, 누리자동차, 시립도서관 등 나의 기관을 확인해보세요
(국내 대학 90% 이상 구독 중)
로그인 회원가입 고객센터 ENG
주제분류
인문학
인문학 일반 역사학 철학 종교학 어문학 기타 인문학
사회과학
사회과학 일반 경영학 관광학 교육학 군사학 문헌정보학 법학 사회학 신문방송학 심리과학 정치외교학 지리학 행정학 경제학 무역학 인류학 기타 사회과학
자연과학
자연과학 일반 물리학 생물학 생활과학 수학·통계학 천문학 지구과학 화학 기타 자연과학
공학
공학 일반 건축공학 기계공학 산업공학 재료·에너지공학 전기전자공학 조선해양공학 화학공학 컴퓨터학 기타공학
의약학
의학 일반 간호학 수의학 약학 한의학 기초의학 임상의학 기타 의약학
농수해양학
농수해양학 일반 농학 수산학 식품과학 임학 축산학 해상운송학 기타 농수해양학
예술체육학
예술 일반 디자인 미술 미용 사진 음악학 의상 체육 공연매체예술 기타 예술체육학
복합학
학제간연구 과학기술학 뇌인지과학 기술정책 기타 복합학

ENG

추천
검색

논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
저널정보
한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제27권 제6호
발행연도
2014.1
수록면
350 - 355 (6page)

이용수

표지
📌
연구주제
📖
연구배경
🔬
연구방법
🏆
연구결과
AI에게 요청하기
추천
검색

초록· 키워드

오류제보하기
N+ 실리콘웨이퍼를 게이트전극으로 사용하여 bottom-gate 구조의 SnO2 TFT를 제조하였다. 게이트절연층으로 사용되는 SiO2/Al2O3막 위에 ～ 60 nm 두께의 SnO2막을 고주파 스퍼터링하여 박막트랜지스터의 활성층으로 사용하였다. SnO2막의 저항률을 높이기 위해 스퍼터링시 아르곤과 함께 산소를 주입하였다. 산소주입에 따른 박막트랜지스터의 이동도 변화를 조사하였으며, 그 결과를 SnO2막의 결정성, 산소결합상태, 광특성 측정 등을 통해 분석하였다. 결정성과 산소결합상태를 조사하기 위하여 XRD 및 XPS측정을 하였다. 산소주입에 따라 SnO2 TFT의 이동도가 감소하였다. 이동도의 감소는 SnO2 막의 분극율 감소에 기인하는 것으로 확인되었다.
#Thin film transistors #Tin oxide #Mobility #XRD #XPS

목차

등록된 정보가 없습니다.

참고문헌 (14)

참고문헌 신청
A. Kumar / 2011 / / Sensors and Actuators B: Chemical 155 : 884 ~ google schola A. L. Patterson / 1939 / / Phys. Rev. 56 : 978 ~ google schola C. N. Cha / 2012 / / Mater. Sci. in Semicon. Proc. 15 : 240 ~ google schola D. K. Schroder / 1990 / Semiconductor Material and Device Characterization / Wiley-Interscience Publication : 285 ~ google schola E. Marquez / 1997 / / J. Phys. D: Appl. Phys. 30 : 690 ~ google schola

이 논문의 저자 정보

최근 본 자료

전체보기

댓글(0)

0