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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 저널정보
- 한국전기전자재료학회 Transactions on Electrical and Electronic Materials Transactions on Electrical and Electronic Materials 제10권 제2호
- 발행연도
- 2009.1
- 수록면
- 35 - 39 (5page)
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A novel Helmholtz coil inductively coupled plasma (H-ICP) etcher is proposed and characterized for deep nano-scale CMOS technology. Various hardware tests are performed while varying key parameters such as distance between the top and bottom coils, the distance between the chamber ceiling and the wafer, and the chamber height in order to determine the optimal design of the chamber and optimal process conditions. The uniformity was significantly improved by applying the optimum conditions. The plasma density obtained with the H-ICP source was about 5×1011/cm3, and the electron temperature was about 2–3 eV. The etching selectivity for the poly-silicon gate versus the ultra-thin gate oxide was 482:1 at 10 sccm of HeO2. The proposed H-ICP was successfully applied to form multiple 60-nm poly-silicon gate layers.
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C. C. Cheng / 1994 / / J. Vac. Sci. Technol. A 13 : 1970 ~
G. Vinogradov / 2004 / Abs. 899, 206th Meeting
Halliday, Resnick / / Fundamentals of Physics (6th Edition), Chap. 30 : 687 ~
Jung-Hyung Kim / 2005 / Characteristics of CFx Radicals and Plasma Parameters in an Inductively Coupled CF4 Plasma / Journal of the Korean Physical Society 47 (1) : 249 ~ 255
K. J. Park / 2002 / / Jpn. J. Appl. Phys 41 : 930 ~
G. Vinogradov / 2004 / Abs. 899, 206th Meeting
Halliday, Resnick / / Fundamentals of Physics (6th Edition), Chap. 30 : 687 ~
Jung-Hyung Kim / 2005 / Characteristics of CFx Radicals and Plasma Parameters in an Inductively Coupled CF4 Plasma / Journal of the Korean Physical Society 47 (1) : 249 ~ 255
K. J. Park / 2002 / / Jpn. J. Appl. Phys 41 : 930 ~
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