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학술저널
저자정보
Park, Seung-Kyu (Department of Chemical Engineering, Hoseo University) Kim, Jin-Bae (Department of Chemical Engineering, Hoseo University) Kim, Heon-Chang (Department of Chemical Engineering, Hoseo University)
저널정보
한국반도체디스플레이기술학회 반도체및디스플레이장비학회지 반도체및디스플레이장비학회지 제8권 제4호
발행연도
2009.1
수록면
59 - 63 (5page)

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This paper presents two dimensional simulation results of an inductively coupled $Ar/O_2$ plasma reactor. The effects of operating conditions on the plasma properties and the uniformity of atomic oxygen near the wafer were systematically investigated. The plasma density had the linear dependence on the chamber pressure, the flow rate of the feed gas and the power deposited into the plasma. On the other hand, the electron temperature decreased almost linearly with the chamber pressure and the flow rate of the feed gas. The power deposited into the plasma nearly unaffected the electron temperature. The simulation results showed that the uniformity of atomic oxygen near the wafer could be improved by lowering the chamber pressure and/or the flow rate of the feed gas. However, the power deposited into the plasma had an adverse effect on the uniformity.

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