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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 저널정보
- 한국전기전자재료학회 Transactions on Electrical and Electronic Materials Transactions on Electrical and Electronic Materials 제5권 제3호
- 발행연도
- 2004.1
- 수록면
- 122 - 125 (4page)
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ITO films were deposited on polyethylene terephthalate substrate by a dc reactive magnetron sputtering using rf bias without substrate heater and post-deposition thermal treatment. The dependency of rf substrate bias on plasma sputter processing was investigated to control energetic particles and improve ITO film properties. The substrate was applied negative rf bias voltage from 0 to -80 V. The composition of indium, tin, and oxygen atoms is strongly depended on the rf substrate bias. Oxygen deficiency is the highest at rf bias of -20 V. The electrical and optical properties of ITO films also are dominated obviously by negative rf bias.
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/ 1989. / Effect of target-substrate distance on the growth and properties of rf-sputtered indium tin oxide films 65 : 1276 ~
/ 1990. / Low resistivity indium-tin oxide transparent conductive films. II. Effect of sputtering voltage on electrical property of films a8 : 1399 ~
/ 1993 / RF magnetron sputtered indium-tin-oxide film on reactive ion etched acrylic substrate 229 : 146 ~
/ 1995. / Physics of very thin ITO conducting films with high transparency prepared by dc magnetron sputteing 270 : 37 ~
/ 1997. / Depth profiling of oxygen content of indium tin oxide fabricated by bias sputtering 113 : 408 ~
/ 1990. / Low resistivity indium-tin oxide transparent conductive films. II. Effect of sputtering voltage on electrical property of films a8 : 1399 ~
/ 1993 / RF magnetron sputtered indium-tin-oxide film on reactive ion etched acrylic substrate 229 : 146 ~
/ 1995. / Physics of very thin ITO conducting films with high transparency prepared by dc magnetron sputteing 270 : 37 ~
/ 1997. / Depth profiling of oxygen content of indium tin oxide fabricated by bias sputtering 113 : 408 ~
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