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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
정성진 (청주대학교 전자공학과) 김덕규 (충북대학교 전자공학부) 김홍배 (청주대학교 전자정보공학부)
저널정보
한국반도체디스플레이기술학회 반도체디스플레이기술학회지 반도체디스플레이기술학회지 제9권 제4호
발행연도
2010.1
수록면
83 - 86 (4page)

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이 논문의 연구 히스토리 (2)

2010

RF magnetron sputtering으로 제작된 ITO 박막의 공정압력 변화에 따른 특성
정성진 ,  김덕규 ,  김홍배 한국진공학회 학술발표회초록집 2010.02 학술대회자료
RF 마그네트론 스퍼터링법으로 제작된 ITO 박막의 공정압력 변화에 따른 특성
정성진 ,  김덕규 ,  김홍배 반도체디스플레이기술학회지 2010.01 학술저널

초록· 키워드

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The transparent electrode properties of ITO films deposited by RF magnetron sputtering with process pressure were investigated. The ITO thin films was deposited on a glass substrate using a target with 3in diameter sintered at a ratio of $In_2O_3$ : $SnO_2$ (9 : 1). 200-nm-thick ITO thin films were manufactured by various process pressures ($2.0{\times}10^{-2}$, $7.0{\times}10^{-3}$ and $2.0{\times}10^{-3}$ Torr). The optical transmittance and resistivity of the deposited ITO thin films showed a relatively satisfactory result under $10^{-2}$ Torr. For high process pressure, the optical transmittance was below 80%, while for low process pressure, the optical transmittance was above 85%. As a result of of mobility, resistivity and carrier concentration by Hall measurement, we obtained satisfactory properties to apply into a transparent conducting thin film.
#ITO #RF magnetron sputtering #RF power #Optical transmittance #Process pressure

목차

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참고문헌 (13)

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Nisha, M / 2008 / Influence of RF power and fluorine doping on the properties of sputtered ITO thin films / Applied Surface Science 255:1790~1795 google schola Suresh, A / 2008 / Transparent, high mobility InGaZnO thin films deposited by PLD / Thin Soild Films 516:1326~1329 google schola Lai, L. W / 2008 / Investigation of optical and electrical properties of ZnO thin films / Materials Chemistry and Physics 110:393~396 google schola Li, Q. H / 2008 / Optical properties of Al-doped ZnO thin films by ellipsometry / Applied Surface Science 254:2922~2926 google schola Jeong, J. A / 2009 / Electrical, optical, and structural properties of ITO co-sputtered IZO films by dual target magnetron sputtering / J Electroceram 23:361~366 google schola

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