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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2016.1
- 수록면
- 36 - 40 (5page)
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The 2 wt.% Al-doped ZnO(AZO) thin films were fabricated on PET substrates with various RF power 20, 35, 50, 65, and 80W by using RF magnetron sputtering in order to investigate the structure, electrical and optical properties of AZO thin films in this study. The XRD measurements showed that AZO films exhibit c-axis orientation. At a RF power of 80W, the AZO films showed the highest (002) diffraction peak with a FWHM of 0.42. At a RF power of 65W, the lowest electrical resistivity was about $1.64{\times}[10]$ ^(-4) ${\Omega}-cm$ and the average transmittance of all films including substrates was over 80% in visible range. Good transparence and conducting properties were obtained due to RF power control. The obtained results indicate that it is acceptable for applications as transparent conductive electrodes.
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T. Minami / 2008 / Thin Solid Films 516:5822~5828
B. Yaglioglu / 2006 / A Study of Amorphous and Crysalline Phases in In2O3-10wt.% ZnO Thin Films Deposited by DC Magnetron Sputtering / Thin Solid Films 496:89
손선영 / 2005 / Indium-Zinc-Oxide 박막의 투명전도 특성에 미치는 Sn 첨가 효과 / 새물리 51(5):397~403
B. D. Ahn, S / 2007 / Influence of Annealing Ambient on Ga-doped ZnO Thin Films / J. Crystal Growth 309:128~133
J. K. Kim / 2010 / High-Performance Transparent Conducting Ga-doped ZnO Films Deposited by RF Magnetron Sputter Deposition / Jpn. J. Appl. Phys 49
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