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한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제18권 제5호
발행연도
2005.1
수록면
414 - 422 (9page)

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This paper shows the results of atomistic modeling for the interaction between spherical nano abrasive and substrate in chemical mechanical polishing processes. Atomistic modeling was achieved from 2-dimensional molecular dynamics simulations using the Lennard-jones 12-6 potentials. We proposed and investigated three mechanical models: (1) Constant Force Model; (2) Constant Depth Model; (3) Variable Force Model, and three chemical models, such as (1) Chemically Reactive Surface Model, (2) Chemically Passivating Surface Model, and (3) Chemically Passivating-reactive Surface Model. From the results obtained from classical molecular dynamics simulations for these models, we concluded that atomistic chemical mechanical polishing model based on both Variable Force Model and Chemically Passivating-reactive Surface Model were the most suitable for realistic simulation of chemical mechanical polishing in the atomic scale. The proposed model can be extended to investigate the 3-dimensional chemical mechanical polishing processes in the atomic scale.
#Chemical mechanical polishing #CMP) #Molecular dynamics simulations #Modeling and simulation

목차

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/ 1987. / Computer Simulation of Liquids : 81 ~ google schola / 1996. / A study on microcutting for the configuration of tools using molecular dynamics 59 (4) : 309 ~ google schola / 1997. / Towards a deeper understanding of wear and friction on the atomic scale-a molecular dynamics analysis 211 (1) : 44 ~ google schola / 1998. / Atomic scale deformation in silicon monocrystals induced by two-body and three-body contact sliding 31 (8) : 425 ~ google schola / 1998. / Micromachining of pure silicon by molecular dynamics 334 (1-2) : 221 ~ google schola

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