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학술저널
저자정보
이상진 (한국생산기술연구원) 이상직 (한국생산기술연구원) 김형재 (한국생산기술연구원) 박철진 (한국생산기술연구원) 손근용 (인제대학교)
저널정보
한국트라이볼로지학회 Tribology and Lubricants 윤활학회지 제33권 제3호
발행연도
2017.6
수록면
106 - 111 (6page)

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이 논문의 연구 히스토리 (3)

2017

사파이어 화학기계적 연마에서 결정 방향이 재료제거 특성에 미치는 영향
이상진 ,  이상직 ,  김형재 외 2명 Tribology and Lubricants 2017.06 학술저널
사파이어 연마에서 결정방향이 재료제거 특성에 미치는 영향
이상진 ,  이상직 한국정밀공학회 학술발표대회 논문집 2017.05 학술대회자료
사파이어 화학기계적 연마에서 결정 방향이 재료 제거 특성에 미치는 영향
이상진 에너지융합학 2017.01 학위논문

초록· 키워드

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Sapphire is an anisotropic material with excellent physical and chemical properties and is used as a substrate material in various fields such as LED (light emitting diode), power semiconductor, superconductor, sensor, and optical devices. Sapphire is processed into the final substrate through multi-wire saw, double-side lapping, heat treatment, diamond mechanical polishing, and chemical mechanical polishing. Among these, chemical mechanical polishing is the key process that determines the final surface quality of the substrate. Recent studies have reported that the material removal characteristics during chemical mechanical polishing changes according to the crystal orientations, however, detailed analysis of this phenomenon has not reported. In this work, we carried out chemical mechanical polishing of C(0001), R(1102), and A(1120) substrates with different sapphire crystal planes, and analyzed the effect of crystal orientation on the material removal characteristics and their correlations. We measured the material removal rate and frictional force to determine the material removal phenomenon, and performed nano-indentation to evaluate the material characteristics before and after the reaction. Our findings show that the material removal rate and frictional force depend on the crystal orientation, and the chemical reaction between the sapphire substrate and the slurry accelerates the material removal rate during chemical mechanical polishing.
#crystal orientation(결정 방향) #chemical mechanical polishing(화학기계적 연마) #friction force(마찰력) #material removal Rate(재료 제거율) #sapphire(사파이어)

목차

Abstract
1. 서론
2. 사파이어의 화학기계적 연마 메커니즘
3. 공정 변수가 재료 제거 특성에 미치는 영향
4. 결정면의 특성이 재료 제거에 미치는 영향
5. 결론
References

참고문헌 (11)

참고문헌 신청
Shi, X., Pan, G., Zhou, Y., Xu, L., Zou, C., Gong, H., “A study of chemical products formed on sapphire (0001) during chemical-mechanical polishing”, Surface and Coating Techonology, Vol. 270, pp. 206-220, 2015. Zhou, P., Gao, P. F., Wang, W. F., Wen, D. H., “Anisotropic Lapping of Single Crystal Sapphire”, Advanced Materials Research, Vol. 102, pp. 502-505, 2010. Budnikov, A. T., Vovk, E. A., Krivonogov, S. I., Danko, A. Y., Lukiyenko, O. A., “Anisotropy of sapphire properties associated with chemical mechani-cal polishing with silica”, Functional Materials, Vol. 17, pp. 488-494, 2010. Wang, Y. G., Zhang, L. C., “On the chemo mechanical polishing for nano-scale surface finish of brittle wafers”, Recent Patents on Nanotechnology, Vol. 4, pp. 70-77, 2010. Zhu, H., Tessaroto, L. A., Sabia, R., Greenhut, V. A., Smith, M., Niesz, D. E., “Chemical Mechanical Polishing (CMP) anisotropy in sapphire”, Applied Surface Science, Vol. 236, pp. 120-130, 2004.

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