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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
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저널정보
한국전기전자재료학회 Transactions on Electrical and Electronic Materials Transactions on Electrical and Electronic Materials 제8권 제2호
발행연도
2007.1
수록면
53 - 57 (5page)

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In this study, a novel slurry containing ceria as the abrasive particles was analyzed in terms of its frictional, thermal and kinetic attributes for interlayer dielectric (ILD) CMP application. The novel slurry was used to polish 200-mm blanket ILD wafers on an IC1000TM K-groove pad with in-situ conditioning. Polishing pressures ranged from 1 to 5 PSI and the sliding velocity ranged from 0.5 to 1.5 m/s. Shear force and pad temperature were measured in real time during the polishing process. The frictional analysis indicated that boundary lubrication was the dominant tribological mechanism. The measured average pad leading edge temperature increased from 26.4 to 38.4 °C with the increase in polishing power. The ILD removal rate also increased with the polishing power, ranging from 400 to 4000 A/min. The ILD removal rate deviated from Prestonian behavior at the highest p´V polishing condition and exhibited a strong correlation with the measured average pad leading edge temperature. A modified two-step Langmuir-Hinshelwood kinetic model was used to simulate the ILD removal rate. In this model, transient flash heating temperature is assumed to dominate the chemical reaction temperature. The model successfully captured the variable removal rate behavior at the highest p´V polishing condition and indicates that the polishing process was mechanical limited in the low p´V polishing region and became chemically and mechanically balanced with increasing polishing power.
#Ceria abrasive slurry #ILD chemical mechanical planarization #Shear force #Langmuir-Hinshelwood model

목차

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참고문헌 (3)

참고문헌 신청
/ 2003. / Fundamental and removal rate studies of inter-layer dielectric chemical mechanical planarization 42 (10) : 6371 ~ google schola / 2005. / Frictional and removal rate studies of silicon dioxide and silicon nitride CMP using novel cerium dioxide abrasive slurries 44 (1A) : 30 ~ google schola / 2005. / Revisiting the removal rate model for oxide CMP 127 (3) : 639 ~ google schola

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