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저자정보
주병권 (KIST정보전자연구부) 방준호 (한양대학교 금속공학과) 이윤희 (KIST정보전자연구부) 차균현 (고려대학교 전자공학과) 오명환 (KIST정보전자연구부)
저널정보
한국재료학회 한국재료학회지 한국재료학회지 제4권 제2호
발행연도
1994.1
수록면
127 - 135 (9page)

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직접 접합된 Si 기판들의 접합계면에 관하여 연구하였다. 경사 연마 및 결함묘사, 계면의 비등방성 식각, TEM 및 HR-TEM 등의 방법들을 이용하여 접합계면에 발생하는 계면결함과 과도영역, 여러형태의 void 들, 계면 산화막의 형성 및 안정화 과정등을 조사하였다. 또한 접합된 $Si-Sio_{2}$계면과 일반적인 $Si-Sio_{2}$계면의 형상등을 비교 검토하였다.

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