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한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제18권 제10호
발행연도
2005.1
수록면
877 - 882 (6page)

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In order to fabricate a high breakdown SiC-SBD (Schottky barrier diode), we investigate an effect on metal guard ring (MGR) in breakdown characteristics of the SiC-SBD. The breakdown characteristics of MGR-type SiC-SBD is significantly dependent on both the guard ring metal and the alloying time of guard ring metal. The breakdown characteristics of MGR-type SiC-SBDs are essentially improved as the alloying time of guard ring metal is increased. The SiC-SBD without MGR shows less than 200 V breakdown voltage, while the SiC-SBD with Al MGR shows approximately 700 V breakdown voltage. The improvement in breakdown characteristics is attributed to the field edge termination effect by the MGR, which is similar to an implanted guard ring-type SiC-SBD. There are two breakdown origins in the MGR-type SiC-SBD. One is due to a crystal defects, such as micropipes and stacking faults, in the Epi-layers and the SiC substrate, and occurs at a lower electric field. The other is due to the destruction of guard ring metal, which occurs at a higher electric field. The demolition of guard ring metal is due to the electric field concentration at an edge of Schottky contact metal.
#SiC #SBD #Breakdown voltage #Metal guard ring

목차

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참고문헌 (9)

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/ 1995. / The guard-ring termination for the high-voltage SiC Schottky barrier diodes 16 (7) : 331 ~ google schola / 1996. / Thermal stable low ohmic contacts to p-type 6H-SiC using cobalt silicides 39 (11) : 1559 ~ google schola / 1997. / SiC for microwave power transistors 162 : 441 ~ google schola / 1999. / High- voltage Ni- and Pt-SiC Schottky diodes utilizing metal field plate termination 46 (3) : 456 ~ google schola / 1999. / Progress in SiC from material growth to commercial device b61 : 1 ~ google schola

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