메뉴 건너뛰기
.. 내서재 .. 알림
소속 기관/학교 인증
인증하면 논문, 학술자료 등을  무료로 열람할 수 있어요.
한국대학교, 누리자동차, 시립도서관 등 나의 기관을 확인해보세요
(국내 대학 90% 이상 구독 중)
로그인 회원가입 고객센터 ENG
주제분류
인문학
인문학 일반 역사학 철학 종교학 어문학 기타 인문학
사회과학
사회과학 일반 경영학 관광학 교육학 군사학 문헌정보학 법학 사회학 신문방송학 심리과학 정치외교학 지리학 행정학 경제학 무역학 인류학 기타 사회과학
자연과학
자연과학 일반 물리학 생물학 생활과학 수학·통계학 천문학 지구과학 화학 기타 자연과학
공학
공학 일반 건축공학 기계공학 산업공학 재료·에너지공학 전기전자공학 조선해양공학 화학공학 컴퓨터학 기타공학
의약학
의학 일반 간호학 수의학 약학 한의학 기초의학 임상의학 기타 의약학
농수해양학
농수해양학 일반 농학 수산학 식품과학 임학 축산학 해상운송학 기타 농수해양학
예술체육학
예술 일반 디자인 미술 미용 사진 음악학 의상 체육 공연매체예술 기타 예술체육학
복합학
학제간연구 과학기술학 뇌인지과학 기술정책 기타 복합학

ENG

추천
검색
질문

논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
Hyun-Soo Lee (Electronics and Telecommunications Research Institute) Dong Yun Jung (Electronics and Telecommunications Research Institute) Youngrak Park (Electronics and Telecommunications Research Institute) Hyun-Gyu Jang (Electronics and Telecommunications Research Institute) Hyung-Seok Lee (Electronics and Telecommunications Research Institute) Chi-Hoon Jun (Electronics and Telecommunications Research Institute) Junbo Park (Electronics and Telecommunications Research Institute) Jae Kyoung Mun (Electronics and Telecommunications Research Institute) Sang-Ouk Ryu (Electronics and Telecommunications Research Institute) Sang Choon Ko (Electronics and Telecommunications Research Institute) Eun Soo Nam (Electronics and Telecommunications Research Institute)
저널정보
대한전자공학회 JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE Journal of Semiconductor Technology and Science Vol.17 No.3
발행연도
2017.6
수록면
354 - 362 (9page)

이용수

표지
📌
연구주제
📖
연구배경
🔬
연구방법
🏆
연구결과
AI에게 요청하기
추천
검색
질문

초록· 키워드

오류제보하기
We investigated the improvement in electrical characteristics of large AlGaN/GaN on Si Schottky barrier diode (SBD) induced by structural change to achieve a better trade-off between the forward and reverse performance to obtain high power conversion efficiency in PFC converter. Using an optimized dry etch condition for a large device, we fabricated three-types of SBD with 63 mm channel width: conventional, recessed, recessed dual-anodemetal SBD. The recessed dual-anode-metal SBD exhibited a very low turn-on voltage of 0.34 V, a high forward current of 1.63 A at 1.5 V, a leakage current of 114 ㎂ at -15 V, a breakdown voltage of 794 V.
#GaN #Schottky barrier diode #low turnon voltage #recess #large SBD

목차

Abstract
Ⅰ. INTRODUCTION
Ⅱ. DEVICE FABRICATION
Ⅲ. RESULTS AND DISCUSSION
Ⅳ. CONCLUSION
REFERENCES

참고문헌 (19)

참고문헌 신청
Y.-F. Wu, D. Kapolnek, J. P. Ibbetson, P. Parikh, B. P. Keller, U. K. Mishra, “Very-high power density AlGaN/GaN HEMTs,” IEEE Electron Device Lett., Vol. 48, No. 3, pp. 586-590, Mar., 2001. J. H. Lee, D. Y. Lee, B. W. Oh, J. H. Lee, “Comparison of InGaN-Based LEDs Grown on Conventional Sapphire and Cone-Shape-Patterned Sapphire Substrate,” IEEE Trans. Electron Devices, Vol. 57, No. 1, pp. 157-163, Jan., 2010. F. Semond, P. Lorenzini, N. Grandjean, J. Massies, “High-electron-mobility AlGaN/GaN heterostructures grown on Si(111) by molecular-beam epitaxy,” Appl. Phys. Lett., Vol. 78, No. 3, pp. 335-337, Jan., 2001. K. Cheng, M. Leys, S. Degroote, B. Van Daele, S. Boeykens, J. Derluyn, M. Germain, G. Van Tendeloo, J. Engelen, G. Borghs, “Flat GaN epitaxial layers grown on Si(111) by metalorganic vapor phase epitaxy using step-graded AlGaN intermediate layers,” J. Electron. Mater., Vol. 35, No. 4, pp. 592-598, Apr., 2006. S. Iwakami, O. Machia, I. Yoshimichi, B. Ryohei, Y. Masataka, E. Toshihiro, K. Nobuo, G. Hirokazu, I. Akio, “Evaluation of AlGaN/GaN Heterostructure Field-Effect Transistors on Si Substrate in Power Factor Correction Circuit,” Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 46, No. 2, pp. L721-L723, Jul., 2007.

함께 읽어보면 좋을 논문

논문 유사도에 따라 DBpia 가 추천하는 논문입니다. 함께 보면 좋을 연관 논문을 확인해보세요!

이 논문의 저자 정보

이 논문과 함께 이용한 논문

GaN 쇼키 장벽 다이오드 (SBD) 어레이 구조의 전력소자로서의 특성 연구
장우영 ,  고상춘 ,  박영락 외 7명 대한전기학회 학술대회 논문집 2013 .04

최근 본 자료

전체보기

댓글(0)

0

UCI(KEPA) : I410-ECN-0101-2018-569-001033979