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저널정보
한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제23권 제8호
발행연도
2010.1
수록면
587 - 592 (6page)

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We have fabricated schottky barrier diode (SBDs) using polar (c-plane) and non polar (a-, m-plane) n-type 6H-SiC wafers. Ni/SiC ohmic contact was accomplished on the backside of the SiC wafers by thermal evaporation and annealed for 20minutes at 950℃ in mixture gas (N2 90% + H2 balanced). The specific contact resistance was 3.6×10-4 Ω㎝2 after annealing at 950℃. The XRD results of the alloyed contact layer show that formation of NiSi2 layer might be responsible for the ohmic contact. The active rectifying electrode was formed by the same thermal evaporation of Ni thin film on topside of the SiC wafers and annealed for 5 minutes at 500℃ in mixture gas (N2 90% + H2 balanced). The electrical properties of SBDs have been characterized by means of I-V and C-V curves. The forward voltage drop is about 0.95 V, 0.8 V and 0.8 V for c-, a- and m-plane SiC SBDs respectively. The ideality factor (η) of all SBDs have been calculated from log(I)-V plot. The values of ideality factor were 1.46, 1.46 and 1.61 for c-, a- and m-plane SiC SBDs, respectively. The schottky barrier height (SBH) of all SBDs have been calculated from C-V curve. The values of SBH were 1.37 eV, 1.09 eV and 1.02 eV for c-, a- and m-plane SiC SBDs, respectively.
#Schottky barrier diode #Non polar SiC #Ohmic contact #Ideality factor #Schottky barrier height

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A. V. Kuchuk / 2009 / / Mater. Sci. Forum : 573 ~ google schola H. S. Lee / 1998 / / Kor. Appl. Phys. 11 : 504 ~ google schola J. Crofton / 1997 / / Solid-State Electron. 41 : 1725 ~ google schola J. N. Su / 1996 / / Inst. Phys Conf. Ser. 142 : 697 ~ google schola N. F. Gradner / 2005 / / Appl. Phys. Lett. 86 : 111101 ~ google schola

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