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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2016.7
- 수록면
- 11 - 16 (6page)
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탄화규소(Silicon Carbide)는 와이드 밴드 갭 물질로써 실리콘(Si)에 비해 고전력, 고주파, 고온 소자용 반도체 물질로서 각광받고 있다. 탄화규소를 이용하여 만든 반도체 소자 중 특히 쇼트키 배리어 다이오드는 현재 가장 많이 사용되는 전력반도체 소자로써 스위칭 속도가 매우 빠르고 낮은 온저항 특성을 가지는 소자이다. 하지만 컨텍 엣지에서의 전계집중으로 인해 항복전압이 낮아지는 단점이 있다. 이를 해결하기 위해 다양한 엣지 터미네이션 기술이 제안되고 있는데, 본 논문에서는 최적의 항복전압을 갖기 위한 이중 필드 플레이트(Double Field Plate) 소자 구조를 제안하였다. 측정결과 제작한 소자는 온저항을 유지한 채 38% 향상된 항복전압을 나타내었다. 제안한 소자 특성 검증을 위해 소자를 설계 및 제작한 후 전기적 특성을 측정하였으며, 이중 필드 플레이트 구조는 길이와 두께가 서로 다른 필드 플레이트를 겹쳐 올림으로써 구현하였다.
목차
요약
Abstract
Ⅰ. Introduction
Ⅱ. Main Subject
Ⅲ. Conclusion
REFERENCES
참고문헌 (8)
참고문헌 신청
[기타자료] - Rohm / 2013 / SiC Power Devices and Modules
[학술지(정기간행물)] - S. Dimitrijev / 2003 / Advances in SiC power MOSFET technology / Microelectron. Reliab. 43 (2) : 225 ~ 233
[학술대회논문] - T. P. Chow / 1997 / Wide bandgap adsemiconductor power devices / Proc. Power Semiconductor Materials and Devices Symposium : 89 ~ 102
[단행본] - M. Marinella / 2008 / The Silicon Carbide MOS Capacitor / VDM Publishing : 3 ~ 22
[학술지(정기간행물)] - M. Bhatnagar / 1993 / Comparison of 6H-SiC, 3C-SiC, and Si for power devices / IEEE Trans. Electron Devices 40 : 645 ~ 655
[학술지(정기간행물)] - S. Dimitrijev / 2003 / Advances in SiC power MOSFET technology / Microelectron. Reliab. 43 (2) : 225 ~ 233
[학술대회논문] - T. P. Chow / 1997 / Wide bandgap adsemiconductor power devices / Proc. Power Semiconductor Materials and Devices Symposium : 89 ~ 102
[단행본] - M. Marinella / 2008 / The Silicon Carbide MOS Capacitor / VDM Publishing : 3 ~ 22
[학술지(정기간행물)] - M. Bhatnagar / 1993 / Comparison of 6H-SiC, 3C-SiC, and Si for power devices / IEEE Trans. Electron Devices 40 : 645 ~ 655
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