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한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제19권 제1호
발행연도
2006.1
수록면
87 - 90 (4page)

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In case of preparation of ITO thin film for using top electrode of Top-emitting Organic Light Emitting Diodes(TOLEDs), the ITO thin film should be prepared at room temperature and low oxygen gas flow condition in order to reduced the damage of organic layer due to the bombardment of highly energetic particles such as negative oxygen ions which accrued from the plasma. In this study, the ITO thin film with high optical transmittance and low resistivity prepared as a function of oxygen gas (0 ～ 0.8 sccm) and Ar gas was fixed at 20 sccm by the Facing Targets Sputtering (FTS) method. The electrical and optical properties of ITO thin films were measured by Hall effect measurement, UV/VIS spectrometer, respectively. In the results, we obtained the ITO thin film with lowest resistivity(3×10-4 Ωcm) at oxygen gas flow 0.2 sccm and optical transmittance over 80 % at oxygen gas flow over 0.2 sccm.
#TOLED #lTO cathode #FTS

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참고문헌 (12)

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/ 1987. / Organic electroluminescent diodes 51 (12) : 913 ~ google schola / 1992. / Mass spectrometric ion analysis in the sputtering of oxide targets 10 (4) : 1719 ~ google schola / 1996. / ITO films prepared by facing target sputtering system 282 (1) : 194 ~ google schola / 1997. / Polyaniline as a transparent electrode for polymer light-emitting diodes with polyethylene dioxythiophene- polystyrene sulfonate as the transparent anode 87 : 171 ~ google schola / 1997. / Polymeric anodes for improved polymer light-emitting diode performance 70 (16) : 2067 ~ google schola

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