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자료유형
학술저널
저자정보
김상모 (가천대학교 전기공학과) 금민종 (주성엔지니어링) 김경환 (가천대학교 전기공학과)
저널정보
한국반도체디스플레이기술학회 반도체디스플레이기술학회지 반도체디스플레이기술학회지 제16권 제1호
발행연도
2017.1
수록면
112 - 115 (4page)

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ITO thin films were grown on the glass substrate under various oxygen gas flow and substrate temperature by using FTS (Facing Target Sputtering) system. To investigate properties of as-prepared films for transparent electrical devices, we employed four-point probe, UV-VIS spectrometer, X-ray diffractometer (XRD), scanning electron microscopy (SEM), Hall Effect measurement system and Atomic Force Microscope (AFM). As a results, all of prepared samples has high transmittance of over 80 % in the visible range (300-800 nm). Their resistivity increased as a function of oxygen gas flow and substrate temperature due to their crystal structure and oxygen defect in the films. As-prepared films have a resistivity of under $10^{-4}({\Omega}-cm)$.
#FTS #ITO #oxygen #substrate temperature

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