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논문 기본 정보

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저널정보
한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제17권 제11호
발행연도
2004.1
수록면
1,230 - 1,233 (4page)

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The ITO thin films were prepared by the FTS(Facing Targets Sputtering) system. The ITO thin films are deposited by changing the input current and working gas pressure. Then, electric characteristics, transmittance and surface roughness of ITO thin films were measured by Hall effect measurement, UV-VIS spectrometer and AFM. As a result, the ITO thin film was fabricated with resistivity 6×10-4 Ωcm, carrier mobility 52.11 cm2/Vsec, carrier concentration 1.72×1020 cm-3, transmittance over 85 % of ITO film at working gas pressure 1 mTorr and input current 0.6 A.
#ITO #FTS #Electric characteristics #Transmittance #Surface roughness

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참고문헌 (9)

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/ 1992. / Mass spectrometric ion analysis in the sputtering of oxide targets a10 : 1719 ~ google schola / 1997. / Surface modification if indium tin oxide by plasma treatment : 1384 ~ google schola / 1998. / 대향타겟식 스퍼터링에 의한 Co-Cr 박막의 제작 11 (5) : 418 ~ google schola / 1999. / Effect of hydrogen partial pressure on opoelectronic properties of indium tin oxide thin films deposited by radio frequency magnetron sputtering me- thod : 974 ~ google schola / 1999. / Electroluminescence in conjugated polymers : 121 ~ google schola

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