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한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제17권 제7호
발행연도
2004.1
수록면
738 - 746 (9page)

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Recently zinc oxide(ZnO) has emerged as one of the most promising transparent conducting films with a strong demand of low cost and high performance optoelectronic devices. ZnO film has many advantages such as high chemical and mechanical stabilities, and abundance in nature. In this paper, in order to obtain the excellent transparent conducting film with low resistivity and high optical transmittance for Plasma Display Pannel(PDP), aluminium doped zinc oxide films were deposited on Corning glass substrate by dc magnetron sputtering method. The effects of the discharge power and doping amounts of Al2O3 on the electrical and optical properties were investigated experimentally. Particularly in order to lower the electrical resistivity, positive and negative bias voltages were applied on the substrate, and the effect of bias voltage on the electrical properties of ZnO:Al thin film were also studied and discussed. Films with lowest resistivity of 4.3×10-4 Ω-㎝ and good transmittance of 91.46 % have been achieved for the films deposited at 1 mtorr, 400 ℃, 40 W, Al content of 2 wt% with a substrate bias of +30 V for about 800 nm in film thickness.

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