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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2005.1
- 수록면
- 977 - 982 (6page)
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Al/AlN/n-type 6H-SiC (0001) MIS structures were prepared by AlN layers on vicinal 6H-SiC(0001) substrates with reactive RF magnetron sputtering method. The AlN films were annealed at 900 ℃, N2 atmosphere for 1 minutes showed the best result. With XRD analysis, AlN(0002) peak was clearly found. The typical dielectric constant value of the AlN film in the MIS capacitors was obtained as 8.4 from photo C-V. Also, the gate leakage current density of the MIS capacitor was 10-10 A/cm2 order within the electric field of 1.8 MV/cm. Finally, the amount of interface trap densities, Dit was evaluated as 5.3×1010 eV-1cm-2 at (EC-0.85) eV.
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/ 1981. / Physics of semiconductor devices : 383 ~
/ 1992. / GaN, AlN, and InN: A review : 1237 ~
/ 1994. / Electri- cal characterization of instabilities in 6H silicon carbide metal-oxide-semiconductor capacitors 76 (2) : 993 ~
/ 1994. / Large-band- gap SiC, III-V nitride, and II-VI ZnSe- based semiconductor device technologies 76 : 1363 ~
/ 1994. / Surface potential fluctuations in metal-oxide-semiconductor capacitors fabri- cated on different silicon carbide polytypes 65 (21) : 2723 ~
/ 1992. / GaN, AlN, and InN: A review : 1237 ~
/ 1994. / Electri- cal characterization of instabilities in 6H silicon carbide metal-oxide-semiconductor capacitors 76 (2) : 993 ~
/ 1994. / Large-band- gap SiC, III-V nitride, and II-VI ZnSe- based semiconductor device technologies 76 : 1363 ~
/ 1994. / Surface potential fluctuations in metal-oxide-semiconductor capacitors fabri- cated on different silicon carbide polytypes 65 (21) : 2723 ~
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