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In this paper, we fabricated piezoresistive pressure sensor with dry etching technology which used ICP-RIE (inductivelycoupled plasma reactive ion etching) and etching delay technology which used SOI (silicon-on-insulator). Structure of thefabricated pressure sensor shows a square diaphragm connected to a frame which was verticaly fabricated by dry etchingprocess and a single-element four-terminal gauge arranged at diaphragm edge. Sensitivity of the fabricated sensor wasabout 3.5 mV/V. kPa at 1 kPa full-scale. Measurable resolution of the sensor was not exceeding 20 Pa. The nonlinearityof the fabricated presure sensor was les than 0.5 %F.S.O. at 1 kPa full-scale.
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/ 1983 / “Temperature sensitivity in silicon piezoresistive pressure transducers”
/ 1989 / “The effect of shear stress on the piezoresistance of silicon” : 221 ~ 231
/ 1994 / “High temperature pressure sensor using double SOI structures with two Al2O3 films” : 59 ~ 64
/ 1995 / “Novel process for a monolithic integrated accelerometer” : 589 ~ 592
/ 1997 / “A silicon pressure sensor with stainless diaphragm for high temperature and chemical application” 97 : 1481 ~ 1484
/ 1989 / “The effect of shear stress on the piezoresistance of silicon” : 221 ~ 231
/ 1994 / “High temperature pressure sensor using double SOI structures with two Al2O3 films” : 59 ~ 64
/ 1995 / “Novel process for a monolithic integrated accelerometer” : 589 ~ 592
/ 1997 / “A silicon pressure sensor with stainless diaphragm for high temperature and chemical application” 97 : 1481 ~ 1484
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