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논문 기본 정보

자료유형
학술대회자료
저자정보
이영태 (안동대학교) 안강호 (한양대학교) 권용택 (HCT)
저널정보
한국반도체디스플레이기술학회 한국반도체및디스플레이장비학회 학술대회 한국반도체및디스플레이장비학회 2006년도 추계학술대회 발표 논문집
발행연도
2006.1
수록면
198 - 201 (4page)

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이 논문의 연구 히스토리 (2)

2008

ICP-RIE 기술을 이용한 차압형 가스유량센서 제작
이영태 ,  안강호 ,  권용택 반도체및디스플레이장비학회지 2008.01 학술저널

2006

Deep RIE(reactive ion etching)를 이용한 가스 유량센서 제작
이영태 ,  안강호 ,  권용택 한국반도체및디스플레이장비학회 학술대회 2006.01 학술대회자료

초록· 키워드

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In this paper, we fabricated drag force type and pressure difference type gas flow sensor with dry etching technology which used Deep RIE(reactive ion etching) and etching stop technology which used SOI(silicon-on-insulator). we fabricated four kinds of sensor, which are cantilever, paddle type, diaphragm, and diaphragm with orifice type. Both cantilever and paddle type flow sensors have similar sensitivity as 0.03mV/V kPa. Sensitivity of the fabricated diaphragm and diaphragm with orifice type sensor were relatively high as about 3.5mV/V kPa, 1.5mV/V kPa respectively.

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