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In this paper, we fabricated silicon piezoresistive pressure sensor with dry etching technology which used Deep-RIE and etching delay technology which used SOI(silicon-on-insulator) wafer. We improved pressure sensor offset and its temperature dependence by removing oxidation layer of SOI wafer which was used for dry etching delay layer. Sensitivity of the fabricated pressure sensor was about 0.56 mV/V·kPa at 10 kPa full-scale, and nonlinearity of the fabricated pressure sensor was less than 2 %F.S. The zero off-set change rate was less than 0.6 %F.S.
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M. Bao / 1987 / Analysis and design of a four-terminal silicon pressure sensor at the centre of a diaphragm / Sensors and Actuators 12 : 49 ~ 56
Y. Kanda / 1989 / Four-terminal-gauge quasi-circular and square diaphragm silicon pressure sensors / Sensors and Actuators 18 : 247 ~ 257
Y. T. Lee / 1994 / High temperature pressure sensor using double SOI structures with two Al2O3 films / Sensor and Actuators A: Physical 158 : 59 ~ 64
Y. T. Lee / 2005 / Fabrication of high-temperature silicon pressure sensor using SDB-SOI techmology / Sesnors and Materials 17 (5) : 269 ~ 276
권태하 / 1988 / 전단 압저항 효과를 이용한 실리콘 압력센서 / 전자공학회학회지 25 (3) : 70 ~ 77
Y. Kanda / 1989 / Four-terminal-gauge quasi-circular and square diaphragm silicon pressure sensors / Sensors and Actuators 18 : 247 ~ 257
Y. T. Lee / 1994 / High temperature pressure sensor using double SOI structures with two Al2O3 films / Sensor and Actuators A: Physical 158 : 59 ~ 64
Y. T. Lee / 2005 / Fabrication of high-temperature silicon pressure sensor using SDB-SOI techmology / Sesnors and Materials 17 (5) : 269 ~ 276
권태하 / 1988 / 전단 압저항 효과를 이용한 실리콘 압력센서 / 전자공학회학회지 25 (3) : 70 ~ 77
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