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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
저널정보
한국마이크로전자및패키징학회 마이크로전자 및 패키징학회지 마이크로전자 및 패키징학회지 제12권 제2호
발행연도
2005.1
수록면
129 - 134 (6page)

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SiP의 3D 패키지에 있어서 구리도금은 매우 중요한 역할을 한다. 이러한 구리 도금의 조건을 알아보기 위하여 조건이 다른 전해질에서 전기화학적 I-V 특성을 분석하였다. 첨가제로 억제제와 촉진제의 특성을 분석하였다. 3D 패키지에 있어서 직경 50, 75, 100m 의 via를 사용하였다. Via의 높이는 100m로 동일하였다. Via의 내부는 확산방지층으로 Ta을 전도성 씨앗층으로 Cu를 magnetron 스퍼터링 방법으로 도포하였다. 직류, 펄스, 펄스-역펄스 등 전류의 파형을 변화시키면서 구리 도금을 하였다. 직류만 사용하였을 경우에는 결함없이 via가 채워지지 않았으며 펄스도금을 한 경우 구리 충진이 개선을 되었으나 결함이 발생하였다. 펄스-역펄스를 사용한 경우 결함없는 구리 충진층을 얻을 수 있었다.
#DC #Pulse #Pulse-reverse #Electroplating #SiP

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/ 1996 / Electrochemical Phase Formation and Growth : 273 ~ google schola

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