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논문 기본 정보

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학술저널
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저널정보
한국마이크로전자및패키징학회 마이크로전자 및 패키징학회지 마이크로전자 및 패키징학회지 제17권 제4호
발행연도
2010.1
수록면
89 - 94 (6page)

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Bi 증착원과 Te 증착원의 몰비를 변화시키며 동시증착법으로 Bi-Te 박막을 형성 후, Bi 증착원과 Te 증착원의몰비에 따른 Bi-Te 박막의 열전특성을 분석하였다. 동시증착법으로 형성한 Bi-Te 박막은 n형 반도체로서, -60~-80 μV/K의Seebeck 계수를 나타내었다. Bi 증착원의 양이 30 mol%인 조건으로 동시증착하여 Te 과잉 조성인 박막은 5×10-4 W/m-K2의 출력인자를 나타내었으며, Bi 증착원의 양이 90 mol%인 조건으로 동시증착하여 Bi 과잉 조성인 박막은 17.7×10-4W/m-K2의 출력인자를 나타내었다.
#thermoelectrics #thin films #Bi2Te3 #coevaporation #power factor

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