증착공정 및 환원분위기 열처리가 Sb-Te 박막의 열전특성에 미치는 영향

배재만; 김민영; 오태성

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자료유형: 학술저널

저자정보: 배재만 김민영 오태성

저널정보: 한국마이크로전자및패키징학회 마이크로전자 및 패키징학회지 마이크로전자 및 패키징학회지 제17권 제4호

발행연도: 2010.1

수록면: 77 - 82 (6page)

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증착공정 및 환원분위기 열처리가 p형 Sb-Te 박막의 열전특성에 미치는 영향을 연구하였다. Sb2Te3 잉곳을 분쇄한 분말을 증착원으로 사용하여 형성한 박막은 2.71×10-4 W/m-K2, Sb와 Te 혼합분말을 증착원으로 사용하여 형성한박막은 0.12×10-4 W/m-K2, Sb와 Te의 동시증착으로 제조한 박막은 0.73×10-4 W/m-K2의 출력인자를 나타내었다. 300oC 에서 2시간 유지하는 환원분위기 열처리에 의해 Sb2Te3 잉곳을 분쇄한 분말을 증착원으로 사용하여 형성한 박막의 출력인자가 24.1×10-4 W/m-K2로 향상되었으며, Sb와 Te의 동시증착으로 제조한 박막의 출력인자는 40.2×10-4 W/m-K2로 크게 향상되었다.

#thermoelectrics #thin films #evaporation #coevaporation #annealing #power factor

참고문헌 (27)

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A. Giani / 1999 / Electrical and thermoelectrical properties of Sb2Te3 prepared by the metalorganic chemical vapor deposition technique / J. Mater. Sci. Lett. 18 : 541 ~

A. W. Van Herwaarden / 1984 / The Seebeck effect in silicon ICs / Sensors and Actuators 6 : 245 ~

D. D. Frari / 2005 / Comparative study of the electrochemical preparation of Bi2Te3, Sb2Te3, and (BixSb1-x)2Te3 films / Thin Solid Films 483 : 44 ~

D. D. L. Wijingaards / 2000 / Design and fabrication of on-chip integrated poly SiGe and poly Si Peltier devices / Sensors and Actuators 85 : 316 ~

G. Leimkuhler / 2002 / Electrodeposition of antimony telluride / J. Electrochem. Soc. 149 : C474 ~

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