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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 저널정보
- 한양대학교 세라믹공정연구센터 Journal of Ceramic Processing Research Journal of Ceramic Processing Research 제17권 제10호
- 발행연도
- 2016.10
- 수록면
- 1,015 - 1,018 (4page)
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We report on the improvement of the structural and optical properties of m-plane GaN layers on m-plane sapphire viaepitaxial lateral overgrowth (ELO) using hydride vapor phase epitaxy. The planar m-plane GaN was compared to ELO mplaneGaN with stripes patterned along the [1120] and [0001], respectively. The ELO m-plane GaN samples showed narrowx-ray rocking curves and more improved cathodoluminescence (CL) images compared with those of the planar m-plane GaN.
The density of threading dislocations (TDs) and basal-plane stacking faults (BSFs) was decreased in the ELO m-plane GaN,which was confirmed by transmission electron microscopy (TEM) and Williamson - Hall (W-H) plot analysis.
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