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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2021.3
- 수록면
- 43 - 50 (8page)
- DOI
- 10.5573/ieie.2021.58.3.43
이용수
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본 논문은 플라즈마 공정에 따른 고출력 E-mode GaN 전력반도체의 특성 변화를 설명한다. AlGaN/GaN epi 구조를 변화시키지 않는 한 E-mode GaN 소자의 출력 성능을 향상하는 방법은 ohmic 접촉면의 저항을 최소화하는 것이다. 일반적으로 ohmic metal과 열처리 공정을 통해 저항을 낮추는 방법을 사용하는데, E-mode GaN 전력반도체 공정시 p-GaN을 선택적으로 식각하는 과정에서 플라즈마 공정에 의해 AlGaN위에 형성된 손상된 층 (damage layer)은 저항을 증가시킨다. 남아있는 p-GaN층 또한 열처리 후 저항을 증가시킬 수 있다. 본 논문에서는 식각시 사용되는 ICP (Inductively Coupled Plasma)의 power를 줄여 p-GaN을 식각할 때 E-mode GaN 전력반도체 특성이 개선되는 것을 확인하고 식각 후 남은 p-GaN층이 소자에 어떤 영향을 미치는지 확인하였다.
목차
요약
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 본론
Ⅲ. 결과
Ⅳ. 결론
REFERENCES
참고문헌 (8)
참고문헌 신청
T. P. Chow and R. Tyagi “Wide bandgap compound semiconductors for superior high-voltage unipolar power devices“ IEEE Trans. Electron Devices vol. 41 no. 8 pp. 1481-1483 Aug. 1994.
M. Trivedi and K. Shenai, “Performance evaluation of high-power wide band-gap semiconductor rectifiers,” J. Appl. Phys., vol. 85, no. 9, pp. 6889–6897, May 1999.
E. T. Yu, X. Z. Dang, P. M. Asbeck, S. S. Lau, and G. J. Sullivan, “Spontaneous and piezoelectric polarization effects in III–V nitride heterostructures,” J. Vac. Sci. Technol. B, Microelectron. Process. Phenom., vol. 17, no. 4, pp. 1742–1749, 1999.
J. P. Ibbetson, P. T. Fini, K. D. Ness, S. P. DenBaars, J. S. Speck, and U. K. Mishra, “Polarization effects, surface states, and the source of electrons in AlGaN/GaN heterostructure field effect transistors,” Appl. Phys. Lett., vol. 77, no. 2, pp. 250-252, Jul. 2000.
E. T. Yu X. Z. Dang P. M. Asbeck S. S. Lau and G. J. Sullivan “Spontaneous and piezoelectric polarization effects in III–V nitride heterostructures” J. Vac. Sci. Technol. B Microelectron. Process. Phenom. vol. 17 no. 4 pp. 1742-1749 1999.
M. Trivedi and K. Shenai, “Performance evaluation of high-power wide band-gap semiconductor rectifiers,” J. Appl. Phys., vol. 85, no. 9, pp. 6889–6897, May 1999.
E. T. Yu, X. Z. Dang, P. M. Asbeck, S. S. Lau, and G. J. Sullivan, “Spontaneous and piezoelectric polarization effects in III–V nitride heterostructures,” J. Vac. Sci. Technol. B, Microelectron. Process. Phenom., vol. 17, no. 4, pp. 1742–1749, 1999.
J. P. Ibbetson, P. T. Fini, K. D. Ness, S. P. DenBaars, J. S. Speck, and U. K. Mishra, “Polarization effects, surface states, and the source of electrons in AlGaN/GaN heterostructure field effect transistors,” Appl. Phys. Lett., vol. 77, no. 2, pp. 250-252, Jul. 2000.
E. T. Yu X. Z. Dang P. M. Asbeck S. S. Lau and G. J. Sullivan “Spontaneous and piezoelectric polarization effects in III–V nitride heterostructures” J. Vac. Sci. Technol. B Microelectron. Process. Phenom. vol. 17 no. 4 pp. 1742-1749 1999.
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