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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2008.1
- 수록면
- 140 - 145 (6page)
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Silicon single crystals are grown by Czochralski (CZ) method in different growing conditions. The different shapes of the crystal-melt interface are obtained with various magnetic fields. Effects of zero-Gauss plane (ZGP) shape and magnetic intensity (MI) on the crystal-melt interface in the crystal experimentally are investigated. The shape of ZGP is not
only flat but also parabolic, which is due to magnetic ratio (MR) of the lower to upper current densities in the configurations of the cusp-magnetic fields. As the MR increases, the crystal-melt interface becomes more concave. It means that the hot melt can be easily transported to the crystal-melt interface with increasing the MR. Effective shape of the crystal-melt interface is found to depend on the magnetic field in cusp-magnetic CZ method. The experimental results are compared with other studies and discussed.
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B.C. Sim / 2007 / Effect of the crystal-melt interface on the grown-in defects in silicon CZ growth / J Crystal Growth 299 : 152 ~
D. Vizman / 2001 / Three dimensional numerical simulation of thermal convection in an industrial Czochralski melt: comparison to experimental results / J. Crystal Growth 233
D. Vizman / 2007 / Influence of different types of magnetic fields on the interface shape in a 200 mm Si-EMCZ configuration / J. Crystal Growth 303 : 221 ~
K. Hoshikawa / 2000 / Oxygen transportation during Czochralski silicon crystal growth”, Mater. Sci. Eng B 72 (2000) 73. / Mater. Sci. Eng B 72 : 73 ~
K. Kakimoto / 2001 / Oxygen distribution in silicon melt under inhomogeneous transverse-magnetic fields / J. Crystal Growth 230 : 100 ~
D. Vizman / 2001 / Three dimensional numerical simulation of thermal convection in an industrial Czochralski melt: comparison to experimental results / J. Crystal Growth 233
D. Vizman / 2007 / Influence of different types of magnetic fields on the interface shape in a 200 mm Si-EMCZ configuration / J. Crystal Growth 303 : 221 ~
K. Hoshikawa / 2000 / Oxygen transportation during Czochralski silicon crystal growth”, Mater. Sci. Eng B 72 (2000) 73. / Mater. Sci. Eng B 72 : 73 ~
K. Kakimoto / 2001 / Oxygen distribution in silicon melt under inhomogeneous transverse-magnetic fields / J. Crystal Growth 230 : 100 ~
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