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자료유형
학술저널
저자정보
Byung-Wook Nam (Hanyang University) Jea-Gun Park (Hanyang University)
저널정보
대한전자공학회 JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE Journal of Semiconductor Technology and Science Vol.18 No.1
발행연도
2018.2
수록면
7 - 13 (7page)
DOI
10.5573/JSTS.2018.18.1.007

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Oxide/poly-Si films were repeatedly grown on one side of 300 mm silicon wafers to induce bending, the extent of which was quantified by warp and bow changes. Bending was affected by crystal properties, wafer shape, and local stress, as well as by oxide layer thickness and heat treatment temperature, being less pronounced for wafers with high boron and oxygen impurity concentrations and those with low initial warp, especially, in the case of negative (concave shape) initial bow. Additionally, we investigated the effect of wire-saw cut bending on site flatness and demonstrated that local area damage such as soft laser marking induced a sudden deterioration of edge flatness.
#Warp/bow #multi-layer film #bending #boron/oxygen impurity concentration #site flatness

목차

Abstract
I. INTRODUCTION
II. EXPERIMENTAL
III. RESULTS AND DISCUSSION
IV. SUMMARY
REFERENCES

참고문헌 (19)

참고문헌 신청
W. Y. Jung, et al., “How to minimize CD variation and overlay degradation induced by film stress,” Proceedings of SPIE, Vol. 8324, pp. 83242L-1, Feb., 2012. T. Fukuda and A. Ohsawa, “Mechanical strength of silicon crystals with oxygen and boron impurities,” Applied Physics Letters, Vol. 58, No. 23, pp. 2634- 2635, Mar., 1991. Z. Zeng, et al., “Effect of oxygen precipitates on dislocation motion in Czochralski silicon”, Journal of Crystal Growth, Vol. 312, No. 2, pp. 169-173, Jan., 2010. K. Sumino, H. Harada, and I. Yonenaga, The origin of the difference in the mechanical strengths of Czochralski-grown silicon and float-zone-grown silicon, Japanese Journal of Applied Physics, Vol. 19, No. 1, pp. L49-52, Jan., 1980. K. Sumino, I. Yonenaga, and A. Yusa, “Mechanical strength of oxygen doped float zone silicon crystals,” Japanese Journal of Applied Physics, Vol. 19, No. 12, pp. L763-766, Jan., 1980.

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