InAs 양자점 형성 방법이 양자점 적외선 소자 특성에 미치는 효과

서동범; 황제환; 오보람; 노삼규; 김준오; 이상준; 김의태

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자료유형: 학술저널

저자정보: 서동범 (충남대학교 공과대학 신소재공학과) 황제환 (한국표준과학연구원 융합물성측정센터) 오보람 (한국표준과학연구원 융합물성측정센터) 노삼규 (한국표준과학연구원 융합물성측정센터) 김준오 (한국표준과학연구원 융합물성측정센터) 이상준 (한국표준과학연구원 융합물성측정센터) 김의태 (충남대학교 공과대학 신소재공학과)

저널정보: 한국재료학회 한국재료학회지 한국재료학회지 제28권 제11호

발행연도: 2018.1

수록면: 659 - 662 (4page)

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이 논문의 연구 히스토리 (3)

2019

Si 도핑이 InAs 자기조립 양자점 적외선 소자 특성에 미치는 효과

서동범 , 황제환 , 오보람 외 3명 한국재료학회지 2019.01 학술저널

2018

InAs/InxGa1-xAs 양자점 적외선 소자 분자선 에피텍셜 성장 및 특성

서동범 신소재공학과 2018.01 학위논문

InAs 양자점 형성 방법이 양자점 적외선 소자 특성에 미치는 효과

서동범 , 황제환 , 오보람 외 4명 한국재료학회지 2018.01 학술저널

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We report the properties of infrared photodetectors based on two kinds of quantum dots(QDs): i) 2.0 ML InAs QDs by the Stranski-Krastanov growth mode(SK QDs) and ii) sub-monolayer QDs by $4{\times}[0.3ML/1nm\;In_{0.15}Ga_{0.85}As]$ deposition(SML QDs). The QD infrared photodetector(QDIP) structure of $n^+-n^-(QDs)-n^+$ is epitaxially grown on GaAs (100) wafers using molecular-beam epitaxy. Both the bottom and top contact GaAs layers are Si doped at $2{\times}10^{18}/cm^3$. The QD layers are grown with Si doping of $2{\times}10^{17}/cm^3$ and capped by an $In_{0.15}Ga_{0.85}As$ layer at $495^{\circ}C$. The photoluminescence peak(1.24 eV) of the SML QDIP is blue-shifted with respect to that (1.04 eV) of SK QDIPs, suggesting that the electron ground state of SML QDIP is higher than that of the SK QDIP. As a result, the photoresponse regime(${\sim}9-14{\mu}m$) of the SML QDIP is longer than that (${\sim}6-12{\mu}m$) of the SK QDIP. The dark current of the SML QDIP is two orders of magnitude smaller value than that of the SK QDIP because of the inserted $Al_{0.08}Ga_{0.92}As$ layer.

#InAs #quantum dots #infrared detectors #molecular beam epitaxy

참고문헌 (14)

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H. Yuan / 2008 / Proc. SPIE 6940:69403C1

P. Norton / 2000 / Proc. SPIE 4130:226

S. Horn / 2003 / Proc. SPIE 5074:44

W. A. Radford / 2005 / Proc. SPIE 5783:325

A. Rogalski / 2003 / Prog. in Quantum Electron 27:59

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