Si 도핑이 InAs 자기조립 양자점 적외선 소자 특성에 미치는 효과

서동범; 황제환; 오보람; 김준오; 이상준; 김의태

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자료유형: 학술저널

저자정보: 서동범 (충남대학교 공과대학 신소재공학과) 황제환 (한국표준과학연구원 융합물성측정센터) 오보람 (한국표준과학연구원 융합물성측정센터) 김준오 (한국표준과학연구원 융합물성측정센터) 이상준 (한국표준과학연구원 융합물성측정센터) 김의태 (충남대학교 공과대학 신소재공학과)

저널정보: 한국재료학회 한국재료학회지 한국재료학회지 제29권 제9호

발행연도: 2019.1

수록면: 542 - 546 (5page)

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연구결과

이 논문의 연구 히스토리 (3)

2019

Si 도핑이 InAs 자기조립 양자점 적외선 소자 특성에 미치는 효과

서동범 , 황제환 , 오보람 외 3명 한국재료학회지 2019.01 학술저널

2018

InAs/InxGa1-xAs 양자점 적외선 소자 분자선 에피텍셜 성장 및 특성

서동범 신소재공학과 2018.01 학위논문

InAs 양자점 형성 방법이 양자점 적외선 소자 특성에 미치는 효과

서동범 , 황제환 , 오보람 외 4명 한국재료학회지 2018.01 학술저널

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We investigate the characteristics of self-assembled quantum dot infrared photodetectors(QDIPs) based on doping level. Two kinds of QDIP samples are prepared using molecular beam epitaxy : $n^+-i(QD)-n^+$ QDIP with undoped quantum dot(QD) active region and $n^+-n^-(QD)-n^+$ QDIP containing Si direct doped QDs. InAs QDIPs were grown on semi-insulating GaAs (100) wafers by molecular-beam epitaxy. Both top and bottom contact GaAs layer are Si doped at $2{\times}10^{18}/cm^3$. The QD layers are grown by two-monolayer of InAs deposition and capped by InGaAs layer. For the $n^+-n^-(QD)-n^+$ structure, Si dopant is directly doped in InAs QD at $2{\times}10^{17}/cm^3$. Undoped and doped QDIPs show a photoresponse peak at about $8.3{\mu}m$, ranging from $6{\sim}10{\mu}m$ at 10 K. The intensity of the doped QDIP photoresponse is higher than that of the undoped QDIP on same temperature. Undoped QDIP yields a photoresponse of up to 50 K, whereas doped QDIP has a response of up to 30 K only. This result suggests that the doping level of QDs should be appropriately determined by compromising between photoresponsivity and operating temperature.

#quantum dots #InAs #infrared photodetectors #molecular beam epitaxy

참고문헌 (18)

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H. Yuan / 2008 / Proc. of SPIE 6940:69403C1

P. Norton / 2000 / Proc. of SPIE 4130:226

S. Horn / 2003 / Proc. of SPIE 5074:44

W. A. Radford / 2005 / Proc. SPIE 5783:325

A. Rogalski / 2003 / Prog. Quantum Electronics 27:59

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