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문승필 (한국전력공사) 김영조 (한국나노기술원) 김강호 (한국나노기술원) 김창주 (한국나노기술원) 정상현 (한국나노기술원) 신현범 (한국나노기술원) 박경호 (한국나노기술원) 박원규 (한국나노기술원) 안연식 (한국전력공사) 강호관 (한국나노기술원)
저널정보
한국태양광발전학회 Current Photovoltaic Research Current Photovoltaic Research (CPVR) Vol.4 No.3
발행연도
2016.9
수록면
108 - 113 (6page)

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III-V compound semiconductor based thin film solar cells promise relatively higher power conversion efficiencies and better device reliability. In general, the thin film III-V solar cells are fabricated by an epitaxial lift-off process, which requires an AlxGa1-xAs (x≥0.8) sacrificial layer and an inverted solar cell structure. However, the device performance of the inversely grown solar cell could be degraded due to the different internal diffusion conditions. In this study, InGaP/GaAs double-junction solar cells are inversely grown by MOCVD on GaAs (100) substrates. The thickness of the GaAs base layer is reduced to minimize the thermal budget during the growth. A wide band gap p-AlGaAs/n-InGaP tunnel junction structure is employed to connect the two subcells with minimal electrical loss. The solar cell structures are transferred on to thin metal films formed by Au electroplating. An AlAs layer with a thickness of 20 nm is used as a sacrificial layer, which is removed by a HF:Acetone (1:1) solution during the epitaxial lift-off process. As a result, the flexible InGaP/GaAs solar cell was fabricated successfully with an efficiency of 27.79% under AM1.5G illumination. The efficiency was kept at almost the same value after bending tests of 1,000 cycles with a radius of curvature of 10 mm.
#Flexible #Thin film #Solar cell #MOCVD #Epitaxial lift-off

목차

ABSTRACT
1. 서론
2. 실험방법
3. 실험결과 및 고찰
4. 결론
References

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