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한국산학기술학회 한국산학기술학회 논문지 한국산학기술학회논문지 제9권 제6호
발행연도
2008.12
수록면
1,581 - 1,584 (4page)

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버팅 콘택을 가진 쌍극 폴리사이드 게이트 구조에서 폴리실리콘 내의 순 도핑(net doping) 농도는 n+/p+ 중첩 및 실리사이드J폴리실리콘 층에서 도펀트의 수평 확산에 기인하여 감소하였다. 버팅 콘택 영역에서의 쇼트키 다이 오드 형성은 CoSi₂의 열적 응집 현상에 의한 CoSi₂ 손실과 폴리실리콘 내의 농도 저하에 기인된다. DDI DRAM에서 기생 쇼트키 다이오드는 감지 증폭기의 노이즈 마진을 감소시켜 column성 불량을 일으킨다. Column성 불량은 n+/p+ 폴리실리콘 접합 부분을 물리적으로 분리시키거나, CoSi₂ 형성 전 질소 이온을 p+ 영역에 주입 시켜 CoSi₂의 응집 현상을 억제함으로써 줄일 수 있다.
#Schottky diode #column fail #Butting contact #CoSi₂ agglomeration #DDI #DRAM

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