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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2010.2
- 수록면
- 485 - 490 (6page)
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본 논문에서는 버팅 콘택(butting contact) 구조를 갖는 DDI DRAM소자의 감지 증폭기의 입력 게이트 단의 모든 기생 성분을 포함한 등가 회로를 제안 하였다. 제안한 모델을 이용하여 기생 쇼트키 다이오드가 감지 증폭기 동 작에 어떤 영향을 미치는지 분석하였다. 각각의 불량 가능성에 대해 감지 증폭기가 어떻게 동작하는지 분석하여 단측 불량 특성의 원인을 규명하였다. DDI DRAM에서 단측 불량 원인과 불량률의 온도 의존성은 감지 증폭기의 입력 게 이트 단에 형성된 기생 쇼트키 다이오드 형성에 기인한 것으로 판단된다. 이러한 기생 쇼트키 다이오드는 게이트 입 력에 기생 전압 강하를 야기하게 되고 결국 감지 증폭기의 노이즈 마진을 감소시켜 단측 불량률을 증가시킨다.
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참고문헌 (7)
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1. [단행본] - 김원찬 / 2000 / 전자회로의 이해 / ,대영사 : 240 ~ 475
2. [단행본] - S.M.Sze / 1982 / Physics of Semiconductor Device / ,John Willy & Sons,Inc : 270 ~ 297
3. [인터넷자원] - / / http://www.eic.re.kr/
4. [학술지(정기간행물)] - B.Yu, / 1998 / Gate Engineering for Deep-Submicron CMOS Transistors / ,Electron Devices, 45 (6) : 1253 ~ 1262
5. [학술지(정기간행물)] - A.H.M.Kamal, / 2002 / Suppressing boron penetration and cobalt silicide agglomeration in deep submicron p-channel metal-oxide-semiconductor devices / ,Journal of Vacuum Science & Technology B, 20 (1) : 173 ~ 179
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4. [학술지(정기간행물)] - B.Yu, / 1998 / Gate Engineering for Deep-Submicron CMOS Transistors / ,Electron Devices, 45 (6) : 1253 ~ 1262
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