코발트 오믹층의 적용에 의한 콘택저항 변화

송오성 ,  정성희

전기전자재료학회논문지

2003 .01

256Mbit 및 그 이후 세대 DRAM을 위한 소자분리 및 Capacitor 기술 ( Isolation and Capacitor Technologies for 256M Bit DRAMs and Beyond )

강호규

대한전자공학회 학술대회

1995 .01

DDI DRAM에서의 Column 불량 특성에 관한 연구

장성근 ,  김윤장

한국산학기술학회 논문지

2008 .12

기판에 따른 CoSi$_2$의 열적안정성

심현상 ,  구본철 ,  김종렬 외 1명

한국재료학회 학술발표대회

1996 .01

256K Bit 시대의 전망

한국전자산업진흥회

전자진흥

1985 .01

Co 두께가 CoSi2 에피박막 형성에 미치는 영향 ( Effects of Co Thickness on the Formation of Epitaxial CoSi2 Thin Film )

김종렬 ,  배규식

전자공학회논문지-D

1997 .01

Ohmic Contact to n-GaN

Dae Woo Kim ,  Joon Seop Kwak ,  Hong Koo Baik 외 3명

ICVC : International Conference on VLSI and CAD

1997 .01

ロジックとの混載に適した反轉スタックキャパシタ ( RSTC ) DRAMセル構造の提案 ( A Reserved-Stacked-Capacitor ( RSTC ) DRAM Cell Suitable for Embedded DRAM`s )

좌석목신부 ,  중촌준이 ,  굴강박 외 3명

대한전자공학회 워크샵

1996 .01

Development of Ohmic Contact to GaN

김대우 ,  배준철 ,  곽준섭 외 4명

대한전자공학회 학술대회

1998 .01

반응성 화학기상증착법을 이용한 에피택셜 $CoSi_2$ 박막의 형성 및 성장에 관한 연구

이화성 ,  이희승 ,  안병태

한국재료학회지

2000 .01

[박사학위 논문초록] 고성능 및 저전력 3D 적층형 DRAM에 관한 연구

신호현

전자공학회지

2019 .12

DRAM 특집을 내면서

진대제

전기의세계

1989 .04

Ohmic contact 개발을 위한 금속/SiC 계면 반응에 관한 연구

지응준 ,  김영일 ,  백홍구 외 2명

한국재료학회 학술발표대회

1994 .01

A Quantitative Analysis of DRAM Bit-Line Architecture Using Distributed Network Model

C. S. Kim ,  S. W. Hwang

ICVC : International Conference on VLSI and CAD

1997 .01

반응성 CVD를 이용한 다결정 실리콘 기판에서의 CoSi layer의 성장거동과 열적 안정성에 관한 연구

김선일 ,  이희승 ,  박종호 외 1명

한국재료학회지

2003 .01

Mega Bit DRAM Capacitor를 위한 무결함 박막 SiO2 ( Defect Free Thin SiO2 Thermally Grown On Silicon For Mega Bit DRAM Capacitor )

여인석 ,  윤규한 ,  김병석 외 2명

대한전자공학회 학술대회

1987 .07

Mega Bit DRAM Capacitor를 위한 무결함 박막 SiO2

여인석 ,  윤규한 ,  김병식 외 2명

대한전기학회 학술대회 논문집

1987 .07

InP의 Ohmic Contact 특성 ( Characteristic Analysis of Ohmic Contacts To InP )

양광선 ,  정학기 ,  이승원 외 3명

대한전자공학회 학술대회

1987 .11

CHARACTERISTICS OF STACKED OXIDE-NITRIDE-OXIDE FILMS FOR HIGH DENSITY DRAM CELL CAPACITOR

S. H. Choi ,  J. S. Choi ,  S. T. Kim 외 2명

ICVC : International Conference on VLSI and CAD

1989 .01