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논문 기본 정보

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학술저널
저자정보
김종렬 (수원대학교 전자재료공학과) 배규식 (수원대학교 전자재료공학과) 박윤백 (현대전자[주] 반도체 사업부) 조윤성 (현대전자[주] 반도체 사업부)
저널정보
한국재료학회 한국재료학회지 한국재료학회지 제4권 제1호
발행연도
1994.1
수록면
81 - 89 (9page)

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이 논문의 연구 히스토리 (2)

1995

Co/Ti 두께비가 $CoSi_2$ 에피박막 형성에 미치는 영향
김종렬 ,  배규식 ,  박윤백 외 2명 한국재료학회 학술발표대회 1995.01 학술대회자료

1994

Co/Ti이중박막을 이용한 $CoSi_2$에피박막형성에 관한 연구
김종렬 ,  배규식 ,  박윤백 외 1명 한국재료학회지 1994.01 학술저널

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전자빔 증착법을 사용하여 10nm두께의 Ti과 18nm두께의 Co를 Si(100)기판에 증착한 후, $N_{2}$분위기에서 $900^{\circ}C$, 20초 급속 열처리하여, Co/Ti 이중금속박막의 역전을 유도함으로서 $CoSi_{2}$박막을 형성하였다. 4점 탐침기로 측정한 면저항은 3.9Ω/ㅁ 었으며, 열처리 시간을 증가해도 이값은 유지하여 열적 안정성을 나타내었다. XRD 결과는 형성된 실리사이드는 기판과 에피관계를 갖는 $CoSi_{2}$상 임을 보였으며, SEM 사진은 평탄한 표면을 나타내었다. 단면 TEM 사진은 기판위에 형성된 박막층은 70nm 두께의 $CoSi_{2}$ 에피박막과 그위에 두개의 C0-Ri-Si합금층등 세개의 층으로 되어 있음을 보였다. AES 분석은, 기판상의 자연산화막을 형성할 수 있었음을 보여주었다. AES분석은, 기판상의 잔연산화막이 열처리초기, Ti에 의해 제거된후 Co가 원자적으로 깨끗한 Si기판에 확산하여 $CoSi_{2}$에피박막을 형성할 수 있었음을 보여주었다. $700^{\circ}C$, 20초 + $900^{\circ}C$, 20초 이중 열처리를 한 경우, $CoSi_{2}$결정성장으로 면저항값은 약간 낮아졌으나, 박막의 표면과 계면이 거칠었다. 이 $CoSi_{2}$에피박막의 실제 소자에의 적용방안과 막의 역전을 통한 에피박막형성의 기제를 열역학 및 kinetics 관점에서 고찰하였다.

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