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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
구본철 (수원대학교 전자재료공학과) 심현상 (수원대학교 전자재료공학과) 정연실 (수원대학교 전자재료공학과) 배규식 (수원대학교 전자재료공학과)
저널정보
한국재료학회 한국재료학회지 한국재료학회지 제8권 제5호
발행연도
1998.1
수록면
470 - 473 (4page)

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이 논문의 연구 히스토리 (2)

1998

$CoSi_{2}$ 에피박막을 확산원으로 이용하여 형성한 매우 얇은 접합의 전기적 특성
구본철 ,  심현상 ,  정연실 외 1명 한국재료학회지 1998.01 학술저널

1997

$CoSi_2$를 확산원으로 형성한 매우 얇은 접합의 전기적 특성
구본철 ,  정연실 ,  심현상 외 1명 한국재료학회 학술발표대회 1997.01 학술대회자료

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Co/Ti 이중막을 급속열처리하여 형성한 $CoSi_{2}$에 $As^+$을 이온주입한 후, 500~$1000^{\circ}C$에서 drive-in 열처리하여 매우얇은 $n_{+}$ p접합의 다이오드를 제작하고 I-V 특성을 측정하였다. $500^{\circ}C$에서 280초 drive-in 열처리하였을 때, 50nm정도의 매우 얇은접합이 형성되었고, 누설전류가 매우 낮아 가장 우수한 다이오드 특성을 나타내었다. 특히, Co 단일막을 사용한 다이오드에 비해 누설전류는 2order 이상 낮았으며, 이는 $CoSi_{2}$Si의 계면이 균일하였기 때문이다.

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