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논문 기본 정보

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학술저널
저자정보
조금배 (조선대학교) 이강연 (조선대학교) 최연옥 (조선대학교) 김남오 (조선이공대학) 정병호 (남부대학교)
저널정보
대한전기학회 전기학회논문지 전기학회논문지 제59권 제7호
발행연도
2010.7
수록면
1,255 - 1,258 (4page)

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In this paper, the CoSi₂ thin films with thicknesses of about 5 ㎛ were deposited on n-type silicon (111) substrates by RF magnetron sputtering method using a CoSi₂ target (99.99%). The flow rate of argon of 50 sccm, substrate temperature of 100 ℃, RF power of 60 watts, deposition time of 30 minutes, and the vacuum of 1×10?? Torr. The annealing treatments of the CoSi₂ thin film were performed from 500, 700 and 900 ℃ for 1h in air ambient by an electric furnace. In order to investigate the CoSi₂ thin film X-ray diffraction patterns were measured using the X-ray diffractometer (XRD). The structure of the thin films were investigated by using scanning the electron microscope (SEM) were used for review. The surface morphology of the thin films was measured with a atomic force microscopy (AFM). Temperature dependence of sheet resistivity and property of Hall effect was measured in the CoSi₂ thin film.

목차

Abstract
1. 서론
2. 실험
3. 실험결과 및 고찰
4. 결론
감사의 글
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