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논문 기본 정보

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학술저널
저자정보
Jihun Jung (Hanyang University) Muhammad Adil Ansari (Hanyang University) Dooyoung Kim (Hanyang University) Sungju Park (Hanyang University)
저널정보
대한전자공학회 JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE Journal of Semiconductor Technology and Science Vol.16 No.2
발행연도
2016.4
수록면
226 - 235 (10page)

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The yield of 3D stacked IC manufacturing improves with the pre-bond integrity testing of through silicon vias (TSVs). In this paper, an efficient pre-bond test method is presented based on IEEE std. 1500, which can precisely diagnose any happening of TSV defects. The IEEE std. 1500 wrapper cells are augmented for the proposed method. The pre-bond TSV test can be performed by adjusting the driving strength of TSV drivers and the test clock frequency. The experimental results show the advantages of the proposed approach.

목차

Abstract
I. INTRODUCTION
II. BACKGROUND
III. PROPOSED TEST TECHNIQUE
IV. EXPERIMENTAL SETUP
V. EXPERIMENTAL RESULTS
VI. CONCLUSIONS AND FUTURE WORK
REFERENCES

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