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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
Sihyun Lee (Dong Seoul University)
저널정보
대한전자공학회 전자공학회논문지 전자공학회논문지 제53권 제7호 (통권 제464호)
발행연도
2016.7
수록면
131 - 137 (7page)

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본 논문에서는 기존의 2D IC의 성능을 개선하고 3D IC의 집적도와 전기적인 특성을 개선하기 위한 목적으로 연구되고 있는 TSV (Through Silicon Via)의 임피던스를 해석하였다. 향후 Full-chip 3D IC 시스템 설계에서 TSV는 매우 중요한 기술이며, 높은 집적도와 광대역폭 시스템 설계를 위해서 TSV에 대한 전기적인 특성에 관한 연구가 매우 중요하다. 따라서 본 연구에서는 Full-chip 3D IC를 설계하기 위한 목적으로 다중 TSV-to-TSV에서 거리와 주파수에 따른 TSV의 임피던스 영향을 해석하였다. 또한 이 연구 결과는 Full-chip 3D IC를 제조하기 위한 반도체 공정과 설계 툴에 적용할 수 있다.

목차

요약
Abstract
Ⅰ. Introduction
Ⅱ. TSV-to-TSV Circuit Modeling of Full-Chip 3D IC
Ⅲ. The Impedance of the Multiple TSV-to-TSVs
Ⅳ. Simulations and Results
Ⅶ. CONCLUSIONS
References

참고문헌 (9)

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