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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
정학기 (군산대학교)
저널정보
한국정보통신학회 한국정보통신학회논문지 한국정보통신학회논문지 제20권 제3호
발행연도
2016.3
수록면
571 - 576 (6page)

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비대칭 이중게이트 MOSFET는 다른 상하단 게이트 산화막 두께를 갖는다. 상하단 게이트 산화막 두께 비에 대한 문턱전압이하 스윙 및 전도중심의 변화에 대하여 분석하고자한다. 문턱전압이하 스윙은 전도중심에 따라 변화하며 전도중심은 상하단의 산화막 두께에 따라 변화한다. 비대칭 이중게이트 MOSFET는 문턱전압이하 스윙의 저하 등 단채널효과를 감소시키기에 유용한 소자로 알려져 있다. 포아송방정식의 해석학적 해를 이용하여 문턱전압이하 스윙을 유도하였으며 상하단의 산화막 두께 비가 전도중심 및 문턱전압이하 스윙에 미치는 영향을 분석하였다. 문턱전압이하 스윙 및 전도중심은 상하단 게이트 산화막 두께 비에 따라 큰 변화를 나타냈다. 특히 하단 게이트 전압은 문턱 전압이하 스윙에 큰 영향을 미치며 하단게이트 전압이 0.7V 일 때 0<t<SUB>px2</SUB>/t<SUB>ox1</SUB><5의 범위에서 문턱전압이하 스윙이 약 200 ㎷/dec 정도 변화하는 것을 알 수 있었다.

목차

요약
ABSTRACT
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 비대칭 이중게이트 MOSFET의 문턱전압 이하 스윙 및 전도중심 모델
Ⅲ. 비대칭 이중게이트 MOSFET의 문턱전압 및 전도중심 분석
Ⅳ. 결론
REFERENCES

참고문헌 (7)

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