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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2016.3
- 수록면
- 571 - 576 (6page)
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비대칭 이중게이트 MOSFET는 다른 상하단 게이트 산화막 두께를 갖는다. 상하단 게이트 산화막 두께 비에 대한 문턱전압이하 스윙 및 전도중심의 변화에 대하여 분석하고자한다. 문턱전압이하 스윙은 전도중심에 따라 변화하며 전도중심은 상하단의 산화막 두께에 따라 변화한다. 비대칭 이중게이트 MOSFET는 문턱전압이하 스윙의 저하 등 단채널효과를 감소시키기에 유용한 소자로 알려져 있다. 포아송방정식의 해석학적 해를 이용하여 문턱전압이하 스윙을 유도하였으며 상하단의 산화막 두께 비가 전도중심 및 문턱전압이하 스윙에 미치는 영향을 분석하였다. 문턱전압이하 스윙 및 전도중심은 상하단 게이트 산화막 두께 비에 따라 큰 변화를 나타냈다. 특히 하단 게이트 전압은 문턱 전압이하 스윙에 큰 영향을 미치며 하단게이트 전압이 0.7V 일 때 0＜t<SUB>px2</SUB>/t<SUB>ox1</SUB>＜5의 범위에서 문턱전압이하 스윙이 약 200 ㎷/dec 정도 변화하는 것을 알 수 있었다.
목차
요약
ABSTRACT
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 비대칭 이중게이트 MOSFET의 문턱전압 이하 스윙 및 전도중심 모델
Ⅲ. 비대칭 이중게이트 MOSFET의 문턱전압 및 전도중심 분석
Ⅳ. 결론
REFERENCES
참고문헌 (7)
참고문헌 신청
S.M.Lee, J.Y.Kim, C.G.Yu and J.T.Park, “A Comparative study on hot carrier effects in inversion-mode and junctionless MugFETs,” Solid-State Electronics, vol.79, pp.253-257, July 2013.
G.A.T.Seville, J.P.Rojas, H.M.Fahad, A.M.Hussain, C.E.Smith, M.M.Hussain and R. Ghanem, “Flexible and transparant silicon-on-polymer based sub-20 nm non-planar 3D FinFET for brain-architecture inspired computation,” Advanced Materials, vol.26, no.18, pp.2794-2799, Feb. 2014.
J.B.Roldan, B.Gonzalez, B.Iniguez, A.M.Roldan, A.Lazaro and A.Cerdeira, “In-depth analysis and modelling of self-heating effects in nanometric DGMOSFETs,” Solidstate electronics, vol.79, no.1, pp.179-184, Jan. 2013.
S. Mohammadi, A. Afzali-Kusha and S. Mohammadi,“ Compact modeling of short-channel effects in symmetric and asymmetric 3-T/4-T double gate MOSFETs,” Microelectronics Reliability, vol.51, pp.543-549, Nov. 2011.
Z.Ding, G.Hu, J.Gu, R.Liu, L.Wang and T.Tang,“An analytical model for channel potential and subthreshold swing of the symmetric and asymmetric double-gate MOSFETs,” Microelectronics J., vol.42, pp.515-519, Dec. 2011.
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