비대칭 DGMOSFET에서 채널길이와 두께 비에 따른 DIBL 의존성 분석

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자료유형: 학술저널

저자정보: 정학기 (군산대학교)

저널정보: 한국정보통신학회 한국정보통신학회논문지 한국정보통신학회논문지 제19권 제6호

발행연도: 2015.6

수록면: 1,399 - 1,404 (6page)

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본 연구에서는 비대칭 이중게이트 MOSFET의 채널길이와 채널두께의 비에 따른 드레인 유도 장벽 감소 현상의 변화에 대하여 분석하고자한다. 드레인 전압이 소스 측 전위장벽에 영향을 미칠 정도로 단채널을 갖는 MOSFET에서 발생하는 중요한 이차효과인 드레인 유도 장벽 감소는 문턱전압의 이동 등 트랜지스터 특성에 심각한 영향을 미친다. 드레인 유도 장벽 감소현상을 분석하기 위하여 포아송방정식으로부터 급수형태의 전위분포를 유도하였으며 차단전류가 10<SUP>-7</SUP>A/m일 경우 비대칭 이중게이트 MOSFET의 상단게이트 전압을 문턱전압으로 정의하였다. 비대칭 이중게이트 MOSFET는 단채널 효과를 감소시키면서 채널길이 및 채널두께를 초소형화할 수 있는 장점이 있으므로 본 연구에서는 채널길이와 두께 비에 따라 드레인 유도 장벽 감소를 관찰하였다. 결과적으로 드레인 유도 장벽 감소현상은 단채널에서 크게 나타났으며 하단게이트 전압, 상하단 게이트 산화막 두께 그리고 채널도핑 농도 등에 따라 큰 영향을 받고 있다는 것을 알 수 있었다.

#비대칭 이중게이트 #드레인 유도 장벽 감소 #채널길이 #채널두께 #asymmetric double gate #drain induced barrier lowering #channel length #channel thickness

참고문헌 (7)

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[학술지(정기간행물)] - S. M. Lee / 2013 / A Comparative study on hot carrier effects in inversion-mode and junctionless MugFETs / Solid-State Electronics 79 : 253 ~ 257

[학술지(정기간행물)] - D. Juan Pablo / 2013 / A Universal Core Model for Multiple-Gate Field Effect Transistors, Part II : Drain Current Model / IEEE Trans. on Electron Devices 60 (2) : 848 ~ 855

[학술지(정기간행물)] - V. Anne / 2010 / Modeling the Single-Gate, Double-Gate, and Gate-all-Around Tunnel Field Effect Transistor / J. Applied Physics 107 (2) : 24518 ~ 24526

[학술지(정기간행물)] - Z. Ding / 2011 / An analytical model for channel potential and subthreshold swing of the symmetric and asymmetric double-gate MOSFETs / Microelectronics J 42 : 515 ~ 519

[학술지(정기간행물)] - 정학기 / 2013 / 급수함수를 이용한 비대칭 이중게이트 MOSFET의 전위분포 분석 / 한국정보통신학회논문지 17 (11) : 2621 ~ 2626

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