지원사업
학술연구/단체지원/교육 등 연구자 활동을 지속하도록 DBpia가 지원하고 있어요.
커뮤니티
연구자들이 자신의 연구와 전문성을 널리 알리고, 새로운 협력의 기회를 만들 수 있는 네트워킹 공간이에요.
논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술대회자료
- 저자정보
- 저널정보
- 한국정보통신학회 INTERNATIONAL CONFERENCE ON FUTURE INFORMATION & COMMUNICATION ENGINEERING 2016 INTERNATIONAL CONFERENCE ON FUTURE INFORMATION & COMMUNICATION ENGINEERING Vo.8 No.1
- 발행연도
- 2016.6
- 수록면
- 382 - 385 (4page)
이용수
이 논문의 연구 히스토리 (6)
- 이 논문의 후속연구가 궁금하신가요?
- 연관 학술논문 또는 학술발표를 통해 보다 발전된 연구결과를 확인하실 수 있습니다.
- 이 논문의 연구 히스토리 확인하기
초록· 키워드
오류제보하기
This paper analyzes the subthreshold swing in asymmetric double gate MOSFETs with sub-20 ㎚ channel lengths. The degradation of subthreshold swing due to tunneling effects is investigated using analytical potential distribution and Wentzel–Kramers–Brillouin (WKB) approximation in this paper. This analytical approach is verified by two dimensional simulation. It is shown that the degradation of subthreshold swing increases with both reduction of channel length and increase of channel thickness.
목차
Abstract
Ⅰ. INTRODUCTION
Ⅱ. The potential distribution and subthreshold swing model for asymmetric DGMOSFET
Ⅲ. RESULTS
Ⅳ. DISCUSSION AND CONCLUSIONS
REFERENCES
참고문헌 (0)
참고문헌 신청함께 읽어보면 좋을 논문
논문 유사도에 따라 DBpia 가 추천하는 논문입니다. 함께 보면 좋을 연관 논문을 확인해보세요!
-
Analysis of Tunneling Current for Gate Oxide Thickness of Sub-10 nm Asymmetric Double Gate MOSFET
INTERNATIONAL CONFERENCE ON FUTURE INFORMATION & COMMUNICATION ENGINEERING
2015 .06
-
Top and Bottom Gate Voltage Dependent Tunneling Current of Asymmetric DGMOSFET
INTERNATIONAL CONFERENCE ON FUTURE INFORMATION & COMMUNICATION ENGINEERING
2015 .06
-
비대칭 DGMOSFET의 채널길이와 두께 비에 따른 문턱전압이하 스윙 분석
한국정보통신학회논문지
2015 .03
-
대칭형 무접합 이중게이트 MOSFET에서 스케일 길이를 이용한 문턱전압 이하 스윙 모델
전기전자재료학회논문지
2021 .01
-
채널길이에 대한 비대칭 이중게이트 MOSFET의 문턱전압이하 스윙 분석
한국정보통신학회논문지
2015 .02
-
소자 파라미터에 따른 비대칭 DGMOSFET의 문턱전압이하 스윙 분석
한국정보통신학회논문지
2015 .01
-
비대칭 이중게이트 MOSFET에서 상단과 하단 산화막 두께비가 문턱전압이하 스윙에 미치는 영향
한국정보통신학회논문지
2016 .03
-
10 nm이하 비대칭 이중게이트 MOSFET의 하단 게이트 전압에 따른 터널링 전류 분석
한국정보통신학회논문지
2015 .01
-
10 nm 이하 무접합 원통형 MOSFET의 온-오프전압ΔVon-off에 대한 분석
전기전자학회논문지
2019 .03
-
비대칭 DGMOSFET의 상하단 산화막 두께비에 따른 터널링 전류 분석
한국정보통신학회논문지
2016 .05
-
10 nm 이하 비대칭 DGMOSFET의 채널도핑농도에 따른 터널링 전류
한국정보통신학회논문지
2015 .07
-
비대칭 DGMOSFET에서 터널링 전류가 채널길이에 따른 문턱전압이동에 미치는 영향
한국정보통신학회논문지
2016 .07
-
Implementation of Golf Swing Analysis System Based on Swing Trajectories Analysis
JOURNAL OF ADVANCED INFORMATION TECHNOLOGY AND CONVERGENCE
2019 .12
-
Comparative Study of Single and Double Gate All Around Cylindrical FET Structures for High-K Dielectric Materials
Transactions on Electrical and Electronic Materials
2021 .08
-
가우스 함수의 파라미터에 따른 비대칭형 무접합 이중 게이트 MOSFET의 문턱전압 이하 스윙 분석
전기전자재료학회논문지
2022 .05
-
게이트에 과전압 스트레스가 인가된 탄화규소 MOSFET의 문턱아래 스윙
대한전자공학회 학술대회
2020 .08
-
Low Subthreshold Swing AlGaN MIS-GaN HEMT with Rapid Thermal Annealed HfO₂ Gate Dielectric
대한전자공학회 학술대회
2021 .06
-
수면을 돕는 스윙베드 설계에 대한 해법 지향적 접근
대한인간공학회 학술대회논문집
2022 .10
-
Analysis of Electrical Characteristics Changes Due to Physical Parameter Variations in Dual-Gate Feedback Field Effect Transistor
JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE
2025 .02
-
보안게이트의 정확한 위치제어를 위한 스윙모듈개발
한국정밀공학회 학술발표대회 논문집
2018 .05
이 논문의 저자 정보
최근 본 자료
댓글(0)
0
UCI(KEPA) : I410-ECN-0101-2017-004-000777665