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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2018.6
- 수록면
- 13 - 19 (7page)
- DOI
- 10.5573/ieie.2018.55.6.13
이용수
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짧은 채널 길이와 긴 채널 너비를 갖는 MOSFET은 너비 방향으로 불균일한 채널 불순물 농도를 갖게 되며, 이에 의해 너비 방향으로 각 지점에서의 MOSFET 채널은 서로 다른 값의 문턱전압을 갖게 된다. 본 논문에서는 넓은 폭의 MOSFET을 문턱전압이 정규분포의 변동성을 갖는 W/L=1인 단위 MOSFET의 병렬연결로 모델링하여 SPICE 모델 파라미터를 활용한 시뮬레이션 기법으로 폭의 길이에 따른 전류-전압곡선의 특성을 분석한다. 이 분석을 통해 MOSFET의 폭이 넓어질수록 문턱전압이 낮아지고 문턱전압 이하 영역에서의 전류곡선의 지수기울기가 감소하는 것을 파악한다. 또한 문턱전압 부근과 그 이하 영역에서 MOSFET 너비에 따른 전류의 분포를 예측함으로써 전류 매칭에 유리한 MOSFET의 크기와 바이어스 조건을 제시한다. 이러한 분석 결과는 문턱전압의 변동성을 잘 견디는 초저전압 동작 아날로그 회로의 설계에 유용하게 활용될 것으로 기대된다.
목차
요약
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 변동성 모델
Ⅲ. 시뮬레이션 결과
Ⅳ. 논의 및 결론
REFERENCES
참고문헌 (13)
참고문헌 신청
B. Hoeneisen and C. A. Mead, “Fundamental limitations in Microelectronics-I. MOS technology,” Solid-State Electronics, Vol. 15, no. 7, pp. 819-829, July 1972.
R. W. Keyes, “Physical limits in digital electronics,” Proceedings of the IEEE, Vol. 63, no. 5, pp. 740-767, May 1975.
R. W. Keyes, “Effect of randomness in the distribution of impurity ions on FET thresholds in integrated electronics,” IEEE Journal of Solid-State Circuits, Vol. 15, no. 4, pp. 245-247, August 1975.
H.-S. Wong and Y. Taur, “Three-dimensional “atomistic” simulation of discrete random dopant distribution effects in sub-0.1 μm MOSFET’s,” in IEDM Tech. Dig., pp. 705-708, Dec. 1993.
T. Mizuno, J. Okamura, and A. Toriumi, “Experimental study of threshold voltage fluctuation due to statistical variation of channel dopant number in MOSFET’s,” IEEE Transactions on Electron Devices, Vol. 41, no. 11, pp. 2216-2221, November 1994.
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