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본 논문에서는 무접합 원통형과 무접합 이중게이트 MOSFET의 중심전위와 문턱전압이하 스윙의 관계를 분석하였다. 해석학적 전위분포를 이용하여 문턱전압이하 스윙을 구하고 중심전위와 문턱전압이하 스윙을 채널크기 변화에 따라 비교·고찰하였다. 결과적으로 중심전위분포의 변화가 직접적으로 문턱전압이하 스윙에 영향을 미치고 있다는 것을 관찰하였다. 채널두께나 산화막 두께가 증가할수록 문턱전압이하 스윙은 증가하였으며 JLDG 구조가 더욱 민감하게 증가하였다. 그러므로 나노구조 MOSFET의 단채널효과를 감소시키기 위하여 JLCSG 구조가 더욱 효과적이라는 것을 알 수 있었다.
목차
Abstract
요약
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 본론
Ⅲ. 결론
References
참고문헌 (8)
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[학술지(정기간행물)] - I. Ferain / 2011 / Multigate transistor as the future of classical metal-oxide-semiconductor field-effect transistors / Nature 479 : 310 ~ 316
[학술지(정기간행물)] - E. Gnani / 2011 / Theory of the Junctionless Nanowire FET / IEEE Trans. on Electron Devices 58 (9) : 2903 ~ 2910
[학술지(정기간행물)] - X. Jin / 2012 / Modelling of the nanoscale channel length effect on the subthreshold characteristics of junctionless field-effect transistors with a symmetric double-gate structure / Journal of Physics D: Applied Physics 45 (37) : 1 ~ 5
[학술지(정기간행물)] - C. Li / 2013 / Subthreshold Behavior Models for Nanoscale Short-Channel Junctionless Cylindrical Surrounding-Gate MOSFETs / IEEE Trans. on Electron Devices 60 (11) : 3655 ~ 3662
[학술지(정기간행물)] - C. Jiang / 2015 / A two-dimensional analytical model for short channel junctionless double-gate MOSFETs / AIP Advances 5 (5) : 057122 ~
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