3차원 순차적 집적회로에서 계면 포획 전하 밀도 분포와 그 영향

안태준; 이시현; 유윤섭

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자료유형: 학술저널

저자정보: 안태준 (한경대학교) 이시현 (동서울대학교) 유윤섭 (한경대학교)

저널정보: 한국정보통신학회 한국정보통신학회논문지 한국정보통신학회논문지 제19권 제12호

발행연도: 2015.12

수록면: 2,899 - 2,904 (6page)

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2015

3차원 순차적 집적회로에서 계면 포획 전하 밀도 분포와 그 영향

안태준 , 이시현 , 유윤섭 한국정보통신학회논문지 2015.12 학술저널

3차원 순차적 집적회로에서 계면 포획 전하 분포 추출

안태준 , 유윤섭 대한전자공학회 학술대회 2015.06 학술대회자료

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3차원 순차적 집적회로에서 열에 의한 손상으로 생성되는 계면 포획 전하가 트랜지스터의 드레인 전류-게이트 전압 특성에 미치는 영향을 소개한다. 2차원 소자 시뮬레이터를 이용해서 산화막 층에 계면 포획 전자 분포를 추출한 결과를 설명한다. 이 계면 포획 전자분포를 고려한 3차원 순차적 집적회로에서 Inter Layer Dielectric (ILD)의 길이에 따른 하층 트랜지스터의 게이트 전압의 변화에 따라서 상층 트랜지스터의 문턱전압 V<SUB>th</SUB>의 변화량에 대해서 소개한다. 상대적으로 더 늦은 공정인 상층 HfO₂층 보다 하층 HfO₂층과 양쪽 SiO₂층이 열에 의한 영향을 더 많이 받았다. 계면 포획 전하 밀도 분포를 사용하지 않았을 때 보다 사용 했을 때 Vth 변화량이 더 적게 변하는 것을 확인 했다. 3차원 순차적 인버터에서 ILD의 길이가 50nm이하로 짧아질수록 점점 더 V<SUB>th</SUB> 변화량이 급격히 증가하였다.

#3차원 순차적 집적회로 #계면 포획 전하 밀도 분포 #3차원 순차적 인버터 #문턱전압 #3D sequential integration #Interface trap charge density distribution #3D sequential inverter #threshold voltage

참고문헌 (9)

참고문헌 신청

[학술대회논문] - L. Clavelier / 2010 / Engineered substrates for Future More Moore and More Than Moore Integrated Devices / Proceeding of 2010 IEEE International Electron Devices Meeting(IEDM) : 2.6.1 ~ 2.6.4

[학술지(정기간행물)] - M. Vinet / 2011 / 3D monolithic integration : Technological challenges and electrical results / Microelectronic Engineering 88 : 331 ~ 335

[학술대회논문] - P. Batude / 2013 / Low temperature FDSOI devices, a key enabling technology for 3D sequential integration / Proceeding of International Symposium on VLSI Technology, Systems, and Applications(VLSI-TSA) : 1 ~ 4

[학술대회논문] - O. Billoint / 2015 / From 2D to Monolithic 3D: Design Possibilities, Expectations and Challenges / Proceeding of the 2015 Symposium on International Symposium on Physical Design (ISPD '15) : 127 ~ 127

[학술대회논문] - P. Batude / 2011 / Demonstration of low temperature 3D sequential FDSOI integration down to 50 nm gate length / Proceeding of 2011 Symposium on VLSI Technolog : 158 ~ 159

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