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Three different structures of GaN MOSFETs with trap distributions, trap levels, and densities were simulated, and its results were ana- lyzed. Two of them are Schottky barrier MOSFETs(SB-MOSFETs): one with a p-type GaN body while the other is in the accumulation mode MOSFET with an undoped GaN body and regrown source/drain. The trap levels, distributions and densities were considered based on the measured or calculated properties. For the SB-MOSFET, the interface trap distribution affected the threshold voltage sig- nificantly, but had a relatively small influence on the subthreshold swing, while the bulk trap distribution affects the subthreshold swing more.
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H. C. Lee / 2008 / Enhanced Electrical Characteristics of AlGaN/GaN Heterostructure Field-Effect Transistor with p-GaN Back Barriers and Si Delta-Doped Layer / Jpn. J. Appl. Phys. 47(4S):2824~2827
V. A. Dmitriev / 1996 / Electric breakdown in GaN p?n junctions / Appl. Phys. Lett. 68(2):229~231
M. Micovic / 2006 / GaN HFET for W-band power applications / Tech. Dig. - Int. Electron Devices Meet. IEDM :5~7
M. Asif Khan / 1993 / Metal semiconductor field effect transistor based on single crystal GaN / Appl. Phys. Lett. 62(15):1786~1787
Y.?F. Wu / 1996 / Very high breakdown voltage and large transconductance realized on GaN heterojunction field effect transistors / Appl. Phys. Lett. 69(10):1438~1440
V. A. Dmitriev / 1996 / Electric breakdown in GaN p?n junctions / Appl. Phys. Lett. 68(2):229~231
M. Micovic / 2006 / GaN HFET for W-band power applications / Tech. Dig. - Int. Electron Devices Meet. IEDM :5~7
M. Asif Khan / 1993 / Metal semiconductor field effect transistor based on single crystal GaN / Appl. Phys. Lett. 62(15):1786~1787
Y.?F. Wu / 1996 / Very high breakdown voltage and large transconductance realized on GaN heterojunction field effect transistors / Appl. Phys. Lett. 69(10):1438~1440
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