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박준화 (인천대학교) 최유라 (세종과학고등학교) 민보연 (세종과학고등학교) 문준영 (세종과학고등학교) 이재원 (세종과학고등학교) 장현수 (세종과학고등학교) 박영돈 (인천대학교)
저널정보
한국고분자학회 폴리머 폴리머 제43권 제4호
발행연도
2019.7
수록면
553 - 558 (6page)
DOI
10.7317/pk.2019.43.4.553

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본 연구에서는 게이트 절연체 위에 표면개질된 자기조립 단분자막이 고분자 박막의 전하이동 특성에 미치는 영향을 체계적으로 분석하였다. SiO₂ 게이트 절연층에 CH₃의 작용기를 가지는 자기조립 단분자막을 형성하였을 경우 반도체/절연층 계면에 존재하는 전하트랩 양이 감소됨을 보였다. 자기조립 단분자막의 알킬사슬의 길이가 C1, C8, C18로 길어질수록 전하트랩이 더욱 감소하여 트랜지스터의 전하이동도가 증가하였다. 그리고 본 연구에서 사용된 고분자 반도체인 poly(3-hexylthiophene) 박막의 결정화도가 높은 경우에는 박막 내부의 전하트랩과 계면에서의 전하트랩이 동시에 줄어들어 결정화도가 낮은 poly(3-hexylthiophene) 박막보다 더 높은 전하이동 특성을 보였다.
#organic thin film transistors #poly(3-hexylthiophene) #self-assembled monolayer #charge trap density

목차

초록
Abstract
서론
실험
결과 및 토론
결론
참고문헌

참고문헌 (27)

참고문헌 신청
조남철 / 2016 / Doctor Blade-Coated Polymer Solar Cells / 폴리머 40(5):818~822 Crossref T. Y. Chu / 2017 / Org. Electron 51:485 google schola C. Lee / 2011 / IEEE Electron Device Lett 32:1134 google schola E. Sowade / 2016 / Org. Electron 30:237 google schola C. M. Chou / 2017 / Surf. Coat. Technol 320:554 google schola

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