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이용수
Abstract
1. 서론
2. 실험방법
3. 실험 결과 및 고찰
4. 결론
REFERENCE
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TEM을 이용한 Poly-Si / SiO2 / W Polycide 다층막의 특성평가 ( Evaluation of Poly-Si / SiO2 / W-Polycide Multi Layered Film Using Cross Sectional TEM )
대한전자공학회 학술대회
1990 .11
LPCVD로 증착된 WSix/poly-Si막 두께변화에 의한 W-polycide특성
전기학회논문지
1992 .10
An Improved Process for the Significant Reduction of Polycide-to-Polycide Contact Resistance
ICVC : International Conference on VLSI and CAD
1995 .01
RTP에 의한 W-Polycide막 특성
전기학회논문지
1991 .11
폴리사이드 형성 조건에 따른 WSix 박막 특성에 관한 연구
전기학회논문지 C
2003 .09
W-Polycide Gate Etch 공정에 관한 연구 ( Development of W-Polycide Gate Etch Process )
대한전자공학회 학술대회
1994 .01
Poly·Si-SiO2를 통한 저농도 붕소확산 ( Boron Diffusion of Low Concentration through Poly·Si-SiO2 )
전자공학회논문지
1987 .03
A STUDY ON THE UNSTABILITY OF CONTACT RESISTANCE IN W(tungsten) POLYCIDE BIT LINE TO W POLYCIDE WORD LINE CONTACT
한국재료학회 학술발표대회
1998 .01
BF2 Dopant가 Titanium Polycide 형성에 미치는 영향
대한전자공학회 학술대회
1990 .11
BF2 Dopant가 Titanium Polycide 형성에 미치는 영향 ( Effect of BF2 on the Formation of Ti-Polycide )
대한전자공학회 학술대회
1990 .11
Si-SiO₂系의 問題点과 研究動向
전기의세계
1985 .06
다결정 Si/SiO₂ ∥ Si 적층구조에서 SiO₂층의 두께에 따른 유전특성의 변화
한국표면공학회지
2000 .08
인이 주입된 poly-Si/SiO2/Si 기판에서 텅스텐 실리사이드의 형성에 관한 연구 ( Study on Formation of W-Silicide in the Doped-Phosphorus poly-Si/SiO2/Si-Substrate )
전자공학회논문지-A
1996 .03
Quartz/tungsten polycide 구조에서 발생되는 crack에 대한 연구
한국재료학회 학술발표대회
1997 .01
On Integrating a Polycide-ONO-Poly Capacitor into a 0.8㎛ Digital Technology for Mixed-Signal ASICs
ICVC : International Conference on VLSI and CAD
1993 .01
BF2 Dopant가 Titanium Polycide 형성에 미치는 영향 ( Effect of BF2 Dopant on the Formation of Ti-Polycide )
전자공학회논문지-A
1991 .11
Poly-Si의 성장 기구와 제특성
대한전기학회 학술대회 논문집
1991 .07
SIMS를 이용한 SiO₂/PSG/SiO₂/Al-1%Si 및 SiO₂/TEOS/SiO₂/Al-1%Si 적층 박막내의 Na 게터링 분석
한국표면공학회지
2018 .04
Capacitance-Voltage Characteristics in the Double Layers of SiO₂/Si₃N₄
전기학회논문지 C
2003 .10
Si$O_{2}/{Si}_{0.7}{Ge}_{0.3}/SiO_{2}$계에서의 계면응집현상에 의한 양자점 형성에 관한 연구
한국재료학회 학술발표대회
1997 .01
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